SJ/T 2658.16-2016
半导体红外发射二极管测量方法 第16部分:光电转换效率

Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode.Part 16: Photo-electric conversion efficiency


哪些标准引用了SJ/T 2658.16-2016

 

找不到引用SJ/T 2658.16-2016 半导体红外发射二极管测量方法 第16部分:光电转换效率 的标准

 

 

非常抱歉,我们暂时无法提供预览,您可以试试: 免费下载 SJ/T 2658.16-2016 前三页,或者稍后再访问。

点击下载后,生成下载文件时间比较长,请耐心等待......

 



标准号
SJ/T 2658.16-2016
发布
2016年
发布单位
行业标准-电子
 
 
引用标准
SJ/T 2658.1 SJ/T 2658.6
适用范围
本部分规定了半导体红外发射二极管(以下简称器件)光电转换效率的测量原理图、测量步骤以及规定条件。 本部分适用于半导体红外发射二极管。

SJ/T 2658.16-2016相似标准


推荐

易福门光电传感器工作原理

光电传感器在一般情况下,有三部分构成,它们分为:发送器、接收器和检测电路, 发送器对准目标发射光束,发射的光束一般来源于半导体光源,发光二极管(LED)、激光二极管及红 外发射二极管。光束不间断地发射,或者改变脉冲宽度。接收器有光电二极管光电三极管、光 电池组成。在接收器的前面,装有光学元件如透镜和光圈等。   在其后面是检测电路,它能滤出有 效信号和应用该信号。...

红外光电测距仪的构造与组成

红外测距仪主要由调制光发射单元、接收单元、测相单元、计数显示单元、逻辑控制单元和电源变换器等部分组成。其光源通常为砷化稼(GaAs)半导体发光二极管。当有相当大的电流正向通过GaAs二极管的P-N结时,P-N结里就会发射出波长为0.72μm、0.94μm的近红外光,这是由于在掺杂的GaAs半导体中电子一空穴复合时,过剩的能量以光子形式放出而产生的。而且所射出的光强会随着注入电流的变化而变化。...

红外测距仪的结构组成

红外测距仪主要由调制光发射单元、接收单元、测相单元、计数显示单元、逻辑控制单元和电源变换器等部分组成。其光源通常为砷化稼(GaAs)半导体发光二极管。当有相当大的电流正向通过GaAs二极管的P-N结时,P-N结里就会发射出波长为0.72μm、0.94μm的近红外光,这是由于在掺杂的GaAs半导体中电子一空穴复合时,过剩的能量以光子形式放出而产生的。而且所射出的光强会随着注入电流的变化而变化。...

CIGS、CZTS、PSCs半导体薄膜电池的显微PL&TRPL 测量

卤化物钙钛矿材料的显微 TRPL 测量激发源:405nm ps 激光二极管,在 77K 和 150K 温度条件下监测 760nm 发射的寿命衰减曲线。通过右图的对比也可以清晰的发现,150K 的衰减明显快于77K 的衰减。 铜锌锡硒电池的显微 PL 测试参考文献[1]M. Grossberg, J. Krustok, J. Raudoja, K. Timmo, M. Altosaar, T....





Copyright ©2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP备07018254号 京公网安备1101085018 电信与信息服务业务经营许可证:京ICP证110310号