由于常规半导体电子学和光子学的制造存在冲突,而单片OEIC需要多种材料,将这些具有不同功能的高集成密度3D结构材料和模块组合在一起具有很大挑战。此外,在光纤通信中,由于不同波长的有限模式,最高带宽受到限制。因此,通过互补金属氧化物半导体(CMOS)兼容的低温制造工艺实现单个材料单片OEIC是非常重要的,以便以低成本实现无限带宽3D功能。...
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