29.045 半导体材料 标准查询与下载

T/IAWBS 015-2021 氧化镓单晶片X射线双晶摇摆曲线半高宽测试方法

氧化镓（Ga2O3）因其具有4.9 eV超宽带隙，且具有天然的日盲紫外特性以及极高的击穿场强获得了广泛关注。氧化镓拥有日盲、耐高压高温、低损耗高功率等特点，在半导体功率器件及电力电子器件市场前景广泛。氧化镓单晶材料是氧化镓生长最理想的衬底，对提高外延薄膜的质量，降低位错密度，提高器件效率，延长工作寿命等方面具有不可替代的优势。 氧化镓单晶材料的重要性能指标之一就是结晶质量，而高分辨X射线衍射摇摆曲线半高宽测试具有快速、无损、精度高等优点，是表征氧化镓单晶结晶质量的必要方法，编制本方法有助于规范行业内产品质量的评估，对产业的健康发展及半导体材料的标准化工作可起到重要的促进作用。

Test method for full width at half maximum of double crystal X-ray rocking curve of Ga2O3 single crystal substrate

T/IAWBS 014-2021 碳化硅单晶抛光片位错密度的测试方法

随着科技的发展和进步，第三代半导体材料碳化硅（SiC）取得了令人瞩目的成就，所研发的碳化硅器件的性能指标远超当前硅基器件，并且成功实现了部分碳化硅器件的产业化，在一些重要的能源领域开始逐步取代硅基电力电子器件，并逐步展现出巨大的潜力。随着SiC单晶和外延技术的进步，碳化硅器件将逐步展现出其性能和降低系统成本方面的优势，将被广泛应用在5G通信、智能电网、高速轨道交通、新能源汽车、消费类电子等领域。 由于SiC本身的结构特点，在使用SiC形成衬底的过程中，以各种位错（包括刃位错、螺位错及基平面位错）为代表的微观缺陷都会急剧增加，从而大大降低衬底的质量。因此，测试碳化硅单晶抛光片的位错密度对改进衬底质量及器件性能具有重要的意义。

Test method for dislocation density of silicon carbide polished wafers

BS IEC 62899-503-3:2021 印刷电子产品 质量评估 印刷薄膜晶体管接触电阻的测量方法 转移长度法

Printed electronics. Quality assessment. Measuring method of contact resistance for the printed thin film transistor. Transfer length method

T/ZZB 2332-2021 发光二极管用蓝宝石衬底抛光片

本文件规定了发光二极管用蓝宝石衬底抛光片（以下简称蓝宝石衬底片）的术语和定义、基本要求、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书及质量承诺。 本文件适用于氮化镓基发光二极管（LED）外延生长的，直径为 100 mm 的蓝宝石衬底片。

Polished sapphire substrate for LED

IEC 62899-503-3:2021 印刷电子-第 503-3 部分：质量评估-印刷薄膜晶体管接触电阻的测量方法-转移长度法

This part of IEC 62899 specifies a measuring method of contact resistance for printed thin film transistors (TFTs) by the transfer length method (TLM). The method requires the fabrication of a test element group (TEG) with varying channel length (L) between source and drain elect

Printed electronics - Part 503-3: Quality assessment - Measuring method of contact resistance for the printed thin film transistor - Transfer length method

T/ICMTIA PC007-2021 集成电路用氢氟酸

本文件规定了集成电路用氢氟酸的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存。 本文件适用于集成电路制造过程中使用的氢氟酸。 分子式：HF 相对分子质量：20.01（按 2014 年国际相对原子质量）

Hydrofluoric acid for integrated circuits

T/ICMTIA pc008-2021 集成电路用硝酸

本文件规定了集成电路用硝酸的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存。 本文件适用于集成电路制造过程中使用的硝酸。  分子式：HNO3 相对分子质量：63.01（按 2014 年国际相对原子质量）

Nitric acid for integrated circuits

T/CNIA 0102-2021 绿色设计产品评价技术规范 氮化硅粉体

本文件规定了氮化硅粉体绿色设计产品评价的评价要求、生命周期评价报告编制方法、评价方法和流程。 本文件适用于直接氮化法生产的氮化硅粉体绿色设计产品的评价。

Green design product evaluation technical specification for silicon nitride powder

T/CNIA 0103-2021 绿色设计产品评价技术规范 电子级氯硅烷

本文件规定了电子级氯硅烷绿色设计产品评价的评价要求、产品生命周期评价报告编制方法以及评价方法和流程。 本文件适用于以工业氯硅烷产品为原料，精制提纯而生产的电子级氯硅烷（包含电子级的三氯氢硅、四氯化硅、二氯二氢硅、六氯乙硅烷）绿色设计产品的评价。

Green design product evaluation technical specification for electronic grade chlorosilane

T/CNIA 0101-2021 绿色设计产品评价技术规范 碳化硅单晶抛光片

本文件规定了4H及6H碳化硅单晶抛光片绿色设计产品评价的评价要求、生命周期评价报告编制方法、评价方法和流程。 本文件适用于物理气相传输法生产的4H及6H碳化硅单晶抛光片绿色设计产品的评价。

Technical specification for green design product evaluation silicon carbide single crystal polished wafer

T/CNIA 0100-2021 绿色设计产品评价技术规范 区熔锗锭

本文件规定了区熔锗锭绿色设计产品评价的评价要求、产品生命周期评价报告编制方法以及评价方法、评价流程。 本文件适用于以锗精矿、再生锗原料等含锗原料生产的区熔锗锭的绿色设计产品评价。

Green Design Product Evaluation Technical Specification Area Fused Germanium Ingot

T/ICMTIA 5.1-2020 集成电路用 ArF 干式光刻胶

本文件规定了 ArF 干式光刻胶的要求、试验方法、检测标准及包装、运输、存储要求。

ArF Dry photo resist for Integrated circuits

T/ICMTIA 4.1-2020 集成电路用氟化氩光刻胶单体 第1部分：液体甲基丙烯酸酯类

本文件规定了集成电路用氟化氩光刻胶单体 第1部分 液体甲基丙烯酸酯类的术语和定义、产品类型和结构特点、技术要求、分析检测方法、工艺要求、包装、贮存和运输等要求。

ArF photoresist monomer for integrated circuits Part 1: Liquid methacrylate

T/ICMTIA 5.2-2020 集成电路用ArF浸没式光刻胶

本文件规定了ArF浸没式光刻胶的要求、试验方法、检测标准及包装、运输、存储。

ArF immersion photo resist for integrated circuits

T/ICMTIA 4.2-2020 集成电路用氟化氩光刻胶单体 第2部分：固体甲基丙烯酸酯类

本文件规定了集成电路用氟化氩光刻胶单体 第2部分 固体甲基丙烯酸酯类的术语和定义、产品类型和结构特点、技术要求、分析检测方法、工艺要求、包装、贮存和运输等要求。

ArF photoresist monomer for integrated circuits Part 2: Solid methacrylate

T/ICMTIA 5.3-2020 集成电路用ArF光刻胶光刻检测方法

本文件规定了ArF光刻胶的光刻检测要求及方法、检测标准及包装、运输、存储及环保要求。

Lithography ArF Photo Resist of measurement for Intergraded circuits

T/CASAS 006-2020 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术规范

本文件充分借鉴了IEC 60747-8-4 Discrete Semiconductor devices - Part 8-4:Metal-oxide-semiconductor field-effect-transistors for power switching applications的内容，并结合了近几年科研人员在SiC MOSFET功率器件的研发、测试评估以及应用方面的经验总结，对SiC MOSFET的动静态参数、可靠性考核测试方法等进行了详细的规定，但局限于当前科研人员对SiC MOSFET器件的认知，以及该产品生产与应用所处的发展阶段，可能还存在一些不足的地方，后续将根据研究进展不断进行完善和升级。

The general specification for silicon carbide metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor

T/ZSA 38-2020 SiC晶片的残余应力检测方法

本文件规定了SiC晶片内部残余应力的光学无损检测方法。 本文件适用于晶片厚度适当，对波长400-700nm的可见光范围内测试光的透过率在30%以上的SiC晶片。

Experimental method for residual stress in SiC wafers

ASTM D3004-08(2020) 交联和热塑性挤出半导体 导体和绝缘屏蔽材料的标准规范

1.1 This specification covers crosslinked and thermoplastic extruded semi-conducting, conductor, and insulation shielding materials for electrical wires and cables. 1.2 In many instances, the electrical properties of the shielding material are strongly dependent on processing conditions. For this reason, in this specification the material is sampled from cable. Therefore, tests are done on shielded wire in this standard solely to determine the relevant property of the shielding material and not to test the conductor or completed cable. 1.3 The values stated in SI units are to be regarded as standard. No other units of measurement are included in this standard. 1.4 This international standard was developed in accordance with internationally recognized principles on standardization established in the Decision on Principles for the Development of International Standards, Guides and Recommendations issued by the World Trade Organization Technical Barriers to Trade (TBT) Committee.

Standard Specification for Crosslinked and Thermoplastic Extruded Semi-Conducting, Conductor, and Insulation Shielding Materials

T/CAEE 021-2020 交流充电桩及其元器件检验标准

本标准规定了交直流汽车充电桩主要元器件的术语和定义、技术要求、检测方法等。

Inspection standard for AC charging pile and its components