29.045 半导体材料 标准查询与下载

T/IAWBS 017-2022 金刚石单晶片X射线双晶摇摆曲线半高宽测试方法

本标准根据金刚石单晶片的材料性能特点，并结合目前国内金刚石晶体质量检测技术的研究水平，对金刚石单晶片X射线双晶摇摆曲线的测试原理、测量精度保障、测量步骤等内容做出了规定。 本标准主题章共分为11章，主要内容包括：范围、规范性引用文件、术语和定义、测试原理、测试仪器与校准、测试样品、干扰因素、测试环境、测试程序、精密度、测试报告和附录。

Test method for full width at half maximum of double crystal X-rayrocking curve of diamond single crystal substrate

T/ZZB 2833-2022 高压MOSFET用200 mm硅外延片

本文件规定了高压MOSFET用200 mm硅外延片（以下简称硅外延片）的术语和定义、基本要求、技术要求、试验方法、检验规则、包装、标志、 质量证明书、 运输和贮存及质量承诺。 本文件适用于直径为200 mm、外延层厚度为40 μm～80 μm、在n型重掺砷硅抛光片上生长n型掺磷外延层、晶向的硅外延片。产品主要用于制作高压金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET） 器件（简称高压MOSFET） 。

200 mm silicon epitaxial wafers for high voltage MOSFET

T/NXCL 017-2022 300 mm重掺磷直拉硅单晶抛光片

       本文件规定了300 mm重掺磷直拉硅单晶抛光片的产品分类、技术要求、试验方法、检验规格以及标志、包装、运输、贮存、订货单（或合同）内容和质量承诺等方面的内容。其中技术要求包括原材料、物理性能、化学成分、几何参数、氧化诱生缺陷、表面质量、边缘轮廓等。试验方法包括导电类型、电阻率、电阻率变化、间隙氧含量、径向氧含量、碳含量、表面金属含量、体内金属（铁）含量、直径、晶向及晶向偏离度、厚度和总厚度变化、弯曲度、翘曲度、平整度和局部平整度、氧化诱生缺陷、表面质量、局部光散射体（微小颗粒沾污）和边缘轮廓测量的测量或检验方法。检验规则分为出厂检验和型式检验。

300 mm heavily phosphorus-doped single crystaline Czochralski silicon polished wafers

T/NXCL 016-2022 200 mm重掺锑直拉硅单晶抛光片

       本文件规定了200 mm重掺锑直拉硅单晶抛光片的产品分类、技术要求、试验方法、检验规格以及标志、包装、运输、贮存、订货单（或合同）内容和质量承诺等方面的内容。其中技术要求包括原材料、物理性能、化学成分、几何参数、氧化诱生缺陷、表面质量、边缘轮廓等。试验方法包括导电类型、电阻率、电阻率变化、间隙氧含量、径向氧含量、碳含量、表面金属含量、体内金属（铁）含量、直径晶向及晶向偏离度、厚度和总厚度变化、弯曲度、翘曲度、平整度和局部平整度、氧化诱生缺陷、表面质量、局部光散射体（微小颗粒沾污）和边缘轮廓测量的测量或检验方法。检验规则分为出厂检验和型式检验。

200 mm heavily antimony-doped single crystaline Czochralski silicon polished wafer

T/NXCL 015-2022 硅部件用柱状多晶硅

      本文件规定了硅部件用柱状多晶硅的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规格、和标志、包装、运输、贮存等方面的内容。其中技术要求包括基本要求、原料、化学成分、物理性能、晶粒形态和夹杂物。试验方法包括化学成分分析方法、物理性能检验方法以及晶粒形态和夹杂物的检测方法。检验规则包括检查和验收、组批、检验项目、仲裁取样和制样、检验结果的判定。

Columnar polysilicon for silicon parts

T/SHDSGY 160-2022 非接触式硅片传输装置技术规范

本文件规定了非接触式硅片传输装置的术语和定义、技术要求、方案、图纸、性能参数、使用说明书、检验要求、标志、包装、运输和贮存。 本文件适用于非接触式硅片传输装置技术规范。

Technical specification for non-contact silicon wafert ransmission devices

YS/T 1590-2022 多晶硅行业绿色工厂评价要求

本文件适用于多晶硅行业绿色工厂的评价。

Polycrystalline silicon industry green factory evaluation requirements

T/CASMES 125-2022 晶圆减薄划片技术规范

本文件规定了晶圆减薄划片技术的基本要求、工艺、质量要求、维护及安全。 本文件适用于指导晶圆减薄划片，也可供生产企业在晶圆制造过程中应用减薄、划片技术时参照执行。

Wafer grinding and sawing technical specifications

T/ZPP 016-2022 光伏硅片脱胶插片一体化技术要求

本文件规定了光伏硅片脱胶插片的术语和定义、作业流程、设备、性能参数、技术要求、试验方 法、检验规则、标志、包装、运输和贮存要求。  本文件适用于光伏硅片脱胶插片一体化。

Photovoltaic silicon wafer debonding and inserting integrated technical requirements

KS D 0257-2022 光电导衰变法测量硅单晶中少数载流子寿命

Measuring of minority - carrier lifetime in silicon single crystal by photoconductive decay method

KS D 0262-2022 切片和研磨硅片的目视检查

Visual inspection for sliced and lapped silicon wafers

T/ZZB 2675-2022 TVS用硅单晶研磨片

本文件规定了瞬态电压抑制二极管（TVS）用硅单晶研磨片（以下简称硅片）的术语和定义、产品分类、基本要求、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存、订货单（或合同）内容和质量承诺。 本文件适用于以电子级多晶硅为主要原材料，采用直拉法制备的直径为100 mm、 125 mm、 150 mm的硅单晶研磨片。

Monocrystalline silicon as lapped wafers for TVS

T/CPIA 0037-2022 光伏晶体硅片规范

本文件规定了光伏电池片用光伏晶体硅片（以下简称硅片）的要求、检验方法、检验规则、包装、运输、贮存、质量证明书。 本文件适用于光伏直拉单晶硅片及铸造多晶硅片,类单晶硅片参照单晶硅片。

Specifications for Photovoltaic Crystalline Wafers

T/IAWBS 016-2022 碳化硅单晶片 X 射线双晶摇 摆曲线半高宽测试方法

本文件根据碳化硅单晶的材料性能特点，并结合目前国内碳化硅晶体质量检测技术的研究水平，对碳化硅单晶摇摆曲线的测量原理、测量精度保障、测量步骤等内容作出了规定。本文件的主要结构和内容如下： 本文件主题章共分为9章，主要内容包括：范围、 规范性引用文件、术语和定义、测试原理、测试仪器、干扰因素，测试环境、测试样品、测试程序、精密度、测试报告和附录。

X-ray double crystal rocking curve FWHM test method for silicon carbide single wafer

T/CNIA 0142-2022 氮化硅造粒粉

本文件规定了氮化硅造粒粉的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件及订货单内容。

Silicon nitride granulated powder

YS/T 1510-2021 高纯锗粉

High purity germanium powder

T/NXCL 004-2021 旋转硅靶材

本文件规定了旋转硅靶材的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规格、和标志、包装、运输、贮存等方面的内容。其中技术要求包括基本要求、材质、化学成分、物理性能、物理规格、外观质量、内部缺陷、旋转硅靶晶型、搭接率、表面质量和衬管材料。试验方法包括化学成分仲裁分析方法、物理性能检验方法以及物理规格、外观质量、内部缺陷、晶体形态、晶粒大小、搭接率、圆度和同轴度的测量方法。检验规则包括检查和验收、组批、检验项目、仲裁取样和制样、检验结果的判定。

Rotating silicon target

T/NXCL 003-2021 平面硅锗靶材

本文件规定了大尺寸环形硅锗靶材的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规格、标志、包装、运输、贮存等方面的内容。其中技术要求包括基本要求、材质、化学成分、物理性能、物理规格、表面质量、内部缺陷、搭接率、平面度和背板材料。试验方法包括化学成分仲裁分析方法、物理性能检验方法以及物理规格、表面质量、内部缺陷、搭接率的测量方法。检验规则包括检查和验收、组批、检验项目、仲裁取样和制样、检验结果的判定。

Planar silicon germanium target

T/JSAS 015-2021 单晶硅太阳能电池片

7  要求 7.1  电池片尺寸 电池片的尺寸要求见表2。 7.2  外观 7.2.1  电池片正面外观应栅线图形完整、清晰，不允许有明显偏移、缺损。不应有氧化变色现象，保证具有良好的可焊性。其他要求见表3。 7.2.2  电池片背面外观应电极图形应完整、电极附着强度满足设计要求，电极应无虚印，无铝珠，无铝刺，无脱落，浆料不能接触到电池片边缘。具体要求见表3。 7.3  机械性能 7.3.1  翘曲度 一般情况下，电池的弯曲变形用电池的翘曲度来衡量，见表4。 7.3.2  电极与焊点拉力强度 电极附着应牢固，焊接后，电极与焊点应结合牢固，检测方法应符合GB/T 29195规定，测试到的拉力最小值为2.00 N/mm[除虚焊,过焊外, 180°测试稳定值的平均值]。 7.3.3  电池片不应存在裂纹、隐裂、穿孔及V型缺口。大小角及崩边等缺陷规定见表4。 7.4  电性能 7.4.1  电性能参数 电池电性能参数包括但不仅限于开路电压、短路电流、 填充因子、 最大功率、 转换效率、 低辐照度性能。电性能参数应符合相关产品详细规范的规定。 7.4.2  双面电池片双面率 多栅线双面电池其双面率应符合表5规定。 7.4.3  电池片单片功率、平均值、逆电流、并联电阻、电池效率、光衰减规定应符合表5规定。 7.5  电池片EL特性 7.5.1  电池片EL特性测试，其中A级及透明组件图谱中不应出现黑芯、裂片。 7.5.2  电池片EL特性测试，晶界痕、麻点、平行或垂直于主栅的黑线等不应超过封样。 7.5.3  电池片EL特性测试，其他缺陷要求见表6。 7.6  可靠性 7.6.1  耐候可靠性 按照IEC 61215-2，156.75 mm×156.75 mm型、166 mm×166 mm型、167.3 mm×167.3 mm型电池片做成组件后经过热循环，湿热循环，湿冻循环后无因电池片引起的不良，电性能衰减≤2%；210 mm×210 mm型电池片做成组件后经过热循环，湿热循环，热斑反向测试，动载及静载测试后无因电池片引起的不良，电性能衰减≤2%，扩展到TC400，DH2000h，衰减≤3%。 7.6.2  抗 PID 性能 电池片做成的组件在温度85℃，相对湿度85%的环境试验箱，施以反向偏压1500VDC不同时间，不同辐照度下的电性能衰减要求见表7。 7.6.3  低辐照度性能 由电池片做成的光伏组件在25 ℃±2 ℃和辐照度为200±20 W/m2的自然光或A类模拟器辐照下的I-V特性曲线形状应无异常畸变。性能要求156.75×156.75mm；166×166mm；167.3×167.3mm单晶电池片5BB 97.2%；MBB单晶 98.5%，210×210mm单晶双面MBB电池片98.5%。 7.7  材料 电池片主材均选择单晶硅片，不同型号电池片其电阻率范围及掺杂材料略有差别，主材料参数要求见表8。

Monocrystalline silicon solar cells

T/IAWBS 001-2021 碳化硅单晶

碳化硅作为重要的宽禁带半导体材料，与硅和砷化镓等传统半导体相比，在热导率、击穿场强、饱和电子漂移速率、键合能和化学稳定性等方面具有明显的优势，是制作高温、高频、高压、高功率以及抗辐射器件的理想材料，在新一代移动通信 、智能电网、高速轨道交通、新能源汽车、消费类电子等领域有广阔的应用前景。随着碳化硅单晶生长和加工技术的进步，碳化硅单晶抛光片产量在快速增长。碳化硅（SiC）作为发展最为成熟的第三代半导体，是半导体界公认的“一种未来的材料”，是发展第三代半导体产业的关键基础材料。预计在今后5～10年将会快速发展和有显著成果出现。 随着碳化硅单晶生长和加工技术的进步，2英寸、3英寸、4英寸、6英寸中碳化硅单晶的生长质量也得到进一步提升。另外国内8英寸（150.0mm）碳化硅单晶已经面世，填补了我国在8英寸方面的空白。因此需要对T/IAWBS 001-2017《碳化硅单晶》团体标准中关于2英寸（50.8mm）、3英寸（76.2mm）、4英寸（100.0mm）、6英寸中相关指标要求进行调整，来满足不同用途的产品质量标准。

Silicon carbide single crystal