31.080.10 二极管 标准查询与下载
共找到 343 条与 二极管 相关的标准，共 23 页
Method of Diode 換?Measurement Reaffirmation of ANSI/EIA-381-1-1992
Method of Diode 換?Measurement Reaffirmation of ANSI/EIA-381-1-1992
- ICS
- 31.080.10
- CCS
- L41
- 发布
- 1981
- 实施
Transistor Noise Figure and Effective Input Noise Temperature at MF, HF and VHF, Measurement of
Transistor Noise Figure and Effective Input Noise Temperature at MF, HF and VHF, Measurement of [Replaced: JEDEC EIA-283]
- ICS
- 31.080.10
- CCS
- L41
- 发布
- 1981
- 实施
RELIABILITY ASSURED VOLTAGE REGULATOR DIODES AND VOLTAGE REFERENCE DIODES
- ICS
- 31.080.10
- CCS
- 发布
- 1980-11-29
- 实施
RELIABILITY ASSURED SMALL SIGNAL DIODES
- ICS
- 31.080.10
- CCS
- 发布
- 1980-11-29
- 实施
RELIABILITY ASSURED LOW CURRENT RECTIFIER DIODES
- ICS
- 31.080.10
- CCS
- 发布
- 1980-11-29
- 实施
本标准适用于高速二极管逆向回复时间测量方法 CNS 6560 所使用之测试固定装置（test fixture）的各种特性。
Characterization of a Reverse Recovery Test Fixture
- ICS
- 31.080.10
- CCS
- 发布
- 1980-10-29
- 实施
- 1980-10-29
Настоящий стандарт распространяется на вновь разрабатываемые и модернизируемые полупроводниковые диоды, выпрямительные (кроме диодов Ш
Semiconductor diodes. Basic parameters
- ICS
- 31.080.10
- CCS
- 发布
- 1980
- 实施
- 1982-01-01
Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые инфракрасные излучающие диоды, в том числе бескорпусные, и устанавливает метод
Semiconductor emitting infra-red diodes. Method for measuring of radiation pulse switching times
- ICS
- 31.080.10
- CCS
- 发布
- 1980
- 实施
- 1982-01-01
Structure and technology of test diode
- ICS
- 31.080.10
- CCS
- L41
- 发布
- 1979-07-01
- 实施
- 1979-07-01
Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые инфракрасные излучающие диоды (далее - диоды) и устанавливает габаритные и прис
Semiconductor infra-red emitting diodes. Basic dimensions
- ICS
- 31.080.10
- CCS
- 发布
- 1979
- 实施
- 1981-01-01
Semiconductor microwave switching diodes. Measurement method of critical frequency
- ICS
- 31.080.10
- CCS
- 发布
- 1979
- 实施
- 1981-01-01
Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные диоды (далее - диоды) и устанавливает следу
Semiconductor microwave varactors and multiplier diodes. Methods of measuring time constant and limiting frequency
- ICS
- 31.080.10
- CCS
- 发布
- 1979
- 实施
- 1981-01-01
Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые инфракрасные излучающие диоды некогерентного излучения и устанавливает метод
Semiconductor radiating infra-red diodes. Methods of measurement of radiation power
- ICS
- 31.080.10
- CCS
- 发布
- 1979
- 实施
- 1981-07-01
Detail specification for germanium detector diodes,Type 2AP11~2AP17
- ICS
- 31.080.10
- CCS
- L41
- 发布
- 1978-06-01
- 实施
- 1978-06-01
Detail specification for germanium wideband detector diodes,Type 2AP30~2AP31
- ICS
- 31.080.10
- CCS
- L41
- 发布
- 1978-06-01
- 实施
- 1978-06-01
Detail specification for germanium detector diodes,Type 2AP9~2AP10
- ICS
- 31.080.10
- CCS
- L41
- 发布
- 1978-06-01
- 实施
- 1978-06-01
Detail specification for germanium detector diodes,Type 2AP1~2AP8,2AP21 and 2AP27
- ICS
- 31.080.10
- CCS
- L41
- 发布
- 1978-06-01
- 实施
- 1978-06-01
Methods of measurement for high frequency rectified current of germanium detector diodes
- ICS
- 31.080.10
- CCS
- L41
- 发布
- 1978-06-01
- 实施
- 1978-06-01
Detail specification for germanium switching diodes,Type 2AK1~20
- ICS
- 31.080.10
- CCS
- L41
- 发布
- 1978-01-01
- 实施
- 1978-01-01
Methods of measurement for reverse breakdown voltage of silicon switching diodes
- ICS
- 31.080.10
- CCS
- L41
- 发布
- 1976-06-01
- 实施
- 1976-06-01
