31.200 集成电路、微电子学 标准查询与下载



共找到 3191 条与 集成电路、微电子学 相关的标准,共 213

本标准规定了半导体集成电路的封装形式及外形尺寸。本标准适用于半导体集成电路的封装设计和成品尺寸检验。本标准不适用于混合集成电路。

Outline dimensions of semiconductor integrated circuits

ICS
31.200
CCS
L55
发布
2021-03-09
实施
2021-10-01 00:00:00.0

本标准规定了带状薄膜抗拉性能的试验方法及数据处理。本标准适用于厚度在50nm 到数微米之间且长度和厚度的比值大于300 的样品,也可用于MEMS产品带状薄膜结构的质量监控。

Micro-electromechanical system technology—Test methods for tensile property measurement of strip thin films

ICS
31.200
CCS
L55
发布
2020-03-06
实施
2020-10-01 00:00:00.0

本标准规定了MEMS结构共振疲劳试验的试验方法,包括设备、试验环境、样品要求、试验条件和试验步骤。本标准适用于MEMS结构的共振疲劳试验。

Micro-electromechanical system technology—Fatigue testing method of MEMS structure using resonant vibration

ICS
31.200
CCS
L55
发布
2020-03-06
实施
2020-07-01 00:00:00.0

Micro-electromechanical system technology—The reliability test methods of MEMS in integrated environments

ICS
31.200
CCS
L55
发布
2019-12-31
实施
2020-04-01 00:00:00.0

Semiconductor devices—Integrated circuits—Part 21-1:Blank detail specification for film integrated circuits and hybrid film integrated circuits on the basis of the qualification approval procedures

ICS
31.200
CCS
L57
发布
2018-12-28
实施
2019-07-01 00:00:00.0

Semiconductor devices—Integrated circuits—Part 21:Sectional specification for film integrated circuits and hybrid film integrated circuits on the basis of the qualification approval procedures

ICS
31.200
CCS
L57
发布
2018-12-28
实施
2019-07-01 00:00:00.0

Mechanical standardization of semiconductor devices—Part 5: Recommendations applying to tape automated bonding(TAB) of integrated circuits

ICS
31.200
CCS
L55
发布
2018-09-17
实施
2019-04-01 00:00:00.0

本标准规定了半导体集成电路存储器的引出端排列。 本标准适用于半字节动态存储器、字宽动态存储器、字节宽动态存储器、半字节同步动态存储器.字节宽同步动态存储器、.字宽同步动态存储器的引出端排列。 长

Integrated circuits—Memory devices pin configuration

ICS
31.200
CCS
L55
发布
2018-09-17
实施
2019-01-01 00:00:00.0

本标准规定了半导体集成电路第三代双倍数据速率同步动态随机存储器(CDDR3 SDRAMD功能验证和电参数测试的方法。 本标准适用于半导体集成电路领域中第三代双倍数据速率同步动态随机存储器(DDR3 SDRAMD)功能验证和电参数测试。

Semiconductor integrated circuit—Measuring methods for double data rate 3 synchronous dynamic random access memory(DDR3 SDRAM)

ICS
31.200
CCS
L56
发布
2018-06-07
实施
2019-01-01 00:00:00.0

本标准规定了半导体集成电路快闪存储器电参数、时间参数和存储单元功能测试的基本方法。 本标准适用于半导体集成电路领域中快闪存储器电参数、时间参数和存储单元功能的测试。

Semiconductor integrated circuit.Measuring methods for flash memory

ICS
31.200
CCS
L56
发布
2018-06-07
实施
2019-01-01

本标准规定了焊柱阵列(CGA)的试验方法。 本标准适用于采用焊柱阵列(CGA)封装形式的集成电路(以下简称器件),焊柱包括高铅焊柱、微线圈焊柱、铜带缠绕型焊柱、基板增强型焊柱、镀铜焊柱等。

Integrated circuits.Test methods for column grid array

ICS
31.200
CCS
L55
发布
2018-06-07
实施
2019-01-01

本标准规定了MEMS电场传感器(以下简称“传感器”)的原材料、结构组成、技术要求、试验项目和方法、检验规则、包装、存储和运输。 本标准适用于MEMS电场传感器的研制、生产和采购。其他类型的电场传感器可参照使用。

General specification for MEMS electric field sensor

ICS
31.200
CCS
L55
发布
2018-05-14
实施
2018-12-01

Semiconductor integrated circuits—Measuring method of low voltage differential signaling circuitry

ICS
31.200
CCS
L56
发布
2018-03-15
实施
2018-08-01 00:00:00.0

Logic digital integrated circuits—Specification for I/O interface model for integrated circuit

ICS
31.200
CCS
L56
发布
2018-03-15
实施
2018-08-01 00:00:00.0

Test methods for flip chip integrated circuits

ICS
31.200
CCS
L55
发布
2018-03-15
实施
2018-08-01 00:00:00.0

本标准规定了电压调整器(以下称为器件)参数测试方法。 本标准适用于半导体集成电路领域中电压调整器参数的测试。

Semiconductor integrated circuits.Measuring method of voltage regulators

ICS
31.200
CCS
L56
发布
2018-03-15
实施
2018-08-01

Microwave circuits—Measuring methoels for noise source

ICS
31.200
CCS
L58
发布
2018-03-15
实施
2018-08-01 00:00:00.0

Test methods for endurance and data retention of non-volatile memory

ICS
31.200
CCS
L56
发布
2018-03-15
实施
2018-08-01 00:00:00.0

Semiconductor integrated circuits—Measuring method of level converter

ICS
31.200
CCS
L56
发布
2018-03-15
实施
2018-08-01 00:00:00.0

Semiconductor die products—Part 2: Exchange data formats

ICS
31.200
CCS
L55
发布
2018-03-15
实施
2018-08-01 00:00:00.0



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