C398 标准查询与下载

T/IAWBS 021-2024 碳化硅晶片边缘轮廓检验方法

本文件规定了碳化硅晶片边缘轮廓（包含切口）的检测方法。 本文件适用于检测倒角后碳化硅晶片的边缘轮廓（包含切口），其他材料晶片边缘轮廓的检测可参照本文件执行。

Test methods for edge contour of silicon carbide wafers

T/QGCML 4170-2024 高速传输速率TYPEC公头连接器

本文件规定了高速传输速率TYPEC公头连接器的术语和定义、设备构成、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输及贮存。 本文件适用于高速传输速率TYPEC公头连接器的生产与检验。

High-speed transmission rate TYPEC male connector

T/CSTM 01148-2024 电子级氨水

本文件规定了电子级氨水的分级与命名、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存和随行文件、安全信息。 本文件适用于以工业级液氨和超纯水为原料，经纯化制得的电子级氨水。主要用作集成电路（半导体）、印刷电路板等制程用化学品。 CAS号：1336-21-6 分子式：NH3·H2O 相对分子质量：35.05（按2022年国际相对原子质量）

Electronic grade ammonium hydroxide

T/CSTM 01041-2024 电子级异丙醇

本文件规定了电子级异丙醇的分级与命名、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存和安全信息。 本文件适用于以工业级异丙醇为原料，经提纯制得的电子级异丙醇。主要用作液晶面板、集成电路（半导体）、印刷电路板等制程用化学品。 CAS号：67-63-0 分子式：C3H8O 结构式： 相对分子质量：60.10（按2022年国际相对原子质量）

Electronic grade isopropyl alcoholic

T/CESA 1327-2024 绿色设计产品评价技术规范 锂离子电池

本文件规定了锂离子电池(以下称为产品)的绿色设计产品的评价要求和评价方法以及产品生命周期评价报告的编制方法。 本文件适用于消费锂离子电池、动力锂离子电池、储能锂离子电池的绿色设计产品评价。

Technical specification for green-design product assessment—lithiumion battery

T/ICMTIA CM0038-2024 半导体硅单晶生产用高纯石英坩埚

本文件规定了半导体硅单晶生产用高纯石英坩埚的术语和定义、规格尺寸、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和储存技术内容。 本文件适用于半导体硅单晶生产用高纯石英坩埚。

High purity quartz crucible for semiconductor silicon single crystal production

T/ZJCX 0041-2024 高磁导率型和低功耗型锰锌铁氧体粉料

本文件规定了高磁导率型和低功耗型锰锌铁氧体粉料的术语和定义、材料分类和命名、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存和其他。 本文件适用于直接用于铁氧体坯件成型并进一步加工成软磁铁氧体磁心的高磁导率型和低功耗型锰锌铁氧体粉料。

High permeability and low power consumption Mn-Zn ferrite powders

T/CI 334-2024 半导体设备隔振系统设计及技术要求

本文件规定了半导体设备用隔振系统的设计程序、结构型式和技术要求。 　本文件适用于隔振器为底部安装的半导体设备隔振系统的设计。 　本文件中仪器本身被视为系统中已确定的载荷。

Design and technical requirements for isolation systems in semiconductor equipments

T/DCB 010-2024 钠离子电池用硬炭负极材料技术要求

     本文件规定了钠离子电池用硬炭负极材料的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输及贮存等。       本文件适用于钠离子电池用硬炭材料。

Technical requirements for hard carbon anode materials for sodium-ion batteries

T/DCB 011-2024 人造石墨负极材料生产工艺技术规范

      本文件规定了人造石墨负极材料生产工艺技术的术语和定义、设备要求、生产工艺、原材料质量要求、产品质量控制。       本文件适用于以炭或生物质等含碳物质为原料，经过人工方法制得的石墨以及近似于完整晶体的石墨材料。

Technical specifications for the production process of artificial graphite anode materials

T/QGCML 4031-2024 半导体光学晶圆

本文件规定了半导体光学晶圆的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输及贮存。 本文件适用于半导体光学晶圆，主要包括图案化黑铬板产品、多通道光谱传感器产品、TGV产品等。

Semiconductor optical wafer

T/HPAE 0030-2024 绿色设计产品评价技术规范 非固体电解质铝电容器

根据GB/T 32161《生态设计产品评价通则》及有关要求，非固体电解质铝电容器的评价指标从产品全生命周期中对资源和能源的消耗、对生态环境等角度进行选取，包括资源属性、能源属性、环境属性、产品属性指标，按照全生命周期的理念，在产品设计开发阶段系统考虑原材料选用、生产、销售、使用、回收、处理等各个环节对资源环境造成的影响，力求产品在全生命周期中最大限度降低资源消耗、尽可能少用或不用含有害物质的原材料，减少污染物产生和排放，从而实现环保的目的。评价指标设计主要考虑以现执行的国家标准、行业标准等为判定依据，根据产品和行业特点，以评价筛选生态设计产品为目的，在测试及征询行业专家、生产厂商意见的基础上，科学、合理地确定指标基准值。

Technical specification for green-design product assessment–Aluminium electrolytic capacitors with non-solid electrolyte

T/CPCA 4404B-2024 印制板用硬质合金钻头

本文件规定了印制板制造用直径0.05 mm及以上硬质合金钻头（以下简称钻头）的要求、通用直径、钻头规格、检验方法、质量保证规定、钻头的包装、标识、运输、贮存和环保要求。 本文件适用于印制板用硬质合金钻头。

Tungsten carbide drills for printed boards

T/CPIA 0030.4-2024 晶体硅光伏电池用浆料 第4部分：正面和背面银浆 固化型银浆

本文件规定了晶体硅光伏电池用的固化型银浆的术语和定义、要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输和贮存。 本文件适用于制备晶体硅光伏电池正面和背面电极用的固化型银浆。

Pastes for crystalline silicon photovoltaic cells Part 4: Front and back silver paste Curable silver paste

T/QGCML 3251-2024 发光二极管热阻抗测试方法

本文件规定了发光二极管热阻抗测试方法的术语及定义、测试方法、编制测试报告、测试结果应用。 本文件适用于各类发光二极管的热阻抗测试，包括小功率、中功率和大功率发光二极管等。

Light-emitting diode thermal impedance test method

T/IAWBS 020-2024 碳化硅外延层深能级缺陷的测试 瞬态电容法

本文件规定了用瞬态电容技术中的深能级瞬态谱法测量碳化硅（SiC）外延材料中深能级缺陷的方法。 本文件适用于测量碳化硅外延材料层中的杂质、缺陷在半导体禁带中产生的深能级。此方法可得到深能级的激活能、浓度、俘获截面等参数。

Test method for deep level defects of silicon carbide epitaxial layers-Transient capacitance method

T/NXCL 29-2024 300 mm低氧含量直拉硅单晶抛光片

本文件规定了 300 mm 低氧含量直拉硅单晶抛光片的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存、质量证明书、订货单（或合同）内容和质量承诺等方面的内容。 本文件适用于直径 300 mm 低氧含量直拉硅单晶磨削片经单面或双面抛光制备的硅单晶抛光片，产品主要用于满足绝缘栅双极晶体管（IGBT）等功率器件技术需求的衬底片。

300 mm low oxygen content single crystaline Czochralski silicon polished wafers

T/NXCL 28-2024 半导体级单晶硅生长用合成石英坩埚

本文件规定了半导体级单晶硅生长用合成石英坩埚的术语和定义、规格尺寸、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输和贮存等方面的内容。 本文件适用于合成石英砂（成分：二氧化硅）为内层原料，采用电弧熔融法工艺生产，应用于直拉法半导体级单晶硅生长的石英坩埚。

Synthetic quartz crucible for semiconductor grade monocrystalline silicon growth

T/NXCL 30-2024 300 mm低氧含量直拉硅单晶

本文件规定了300 mm低氧含量直拉硅单晶的技术要求、试验方法、检验规格以及标志、包装、运输、贮存、质量证明书和质量承诺等方面的内容。 本文件适用于以电子级多晶硅为主要原材料，采用直拉法制备的直径为300 mm 的低氧含量硅单晶。产品主要用于绝缘栅双极晶体管（IGBT）等功率器件的衬底。

300 mm low oxygen content single crystaline Czochralski silicon

T/QGCML 3133-2024 新型电器防潮防尘控制箱

本文件规定了新型电器防潮防尘控制箱的术语和定义、构成及原理、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输及贮存。 本文件适用于新型电器防潮防尘控制箱的生产及检验。

New electrical appliances moisture-proof and dust-proof control box