K46 电力半导体器件、部件 标准查询与下载

JB/T 9685-1999 高压整流堆

本标准规定了高压整流堆的型号与分类、额定值和特性参数、逐批检验和周期检查、质量类别、标志和订货单。 本标准适用于工频50Hz、额定电压10kV至150kV、额定正向电流为0.05A至3A的ZD型整流堆。

High voltage rectifier stack

JB/T 9687.2-1999 电力半导体器件用钨圆片

　　本标准规定了钨圆片的外形尺寸、技术要求、试验方法、检验规则、包装、运输、贮存和标志。 　　本标准适用于电力半导体器件用粉末直接称型的钨圆片。

Tungsten disk for power semiconductor devices

JB/T 9687.1-1999 电力半导体器件用钼圆片

　　本标准规定了电力半导体器件用钼圆片的外形尺寸、技术要求、试验方法、检验规则及包装、运输、贮存和标志。 　　本标准适用于钼板冲制及钼坯锻造法生产的电力半导体器件用钼片。

Molybdenum disk for power semiconductor devices

JB/T 9686-1999 旋转整流管

　　本标准规定了旋转整流器的型式尺寸、额定值、特性、检验要求和模拟应用试验方法。 　　本标准适用于按管壳额定正向平均电流在16A至500A的螺栓形旋转整流二极管。 　　本标准的整流管适合在有离心加速度(恒加速度)力作用的场合下适用。

Rectifier diodes for rotating excitation

JB/T 2423-1999 电力半导体器件.型号编制方法

本标准规定了电力半导体器件型号的组成、各部分意义和表示方法。 本标准适用于高压整流堆，电流等于大于5A的整流器、晶闸管、晶体管及其模块、组件，作为产品的有关附件、部件。

Type designation for power semiconductor devices

JB/T 4219-1999 电力半导体器件测试设备.型号命名方法

本标准规定了电力半导体器件测试设备型号的组成、各部分的意义和表示方法。 本标准适用于电力半导体器件电、热参数的测试设备(测试台、测试仪)和有关非标准卡、夹设备的型号命名。

Type designation of measuring equipments for power semiconductor devices

JB/T 8175-1999 电力半导体器件用型材散热体.外形尺寸

本标准规定了型材散热器的型号，系列品种，型材散热体的外形尺寸和基本结构。 本标准适用于电力半导体器件用挤压工艺制造的型材散热器。

Outline dimensions of extruded heat sink for power semiconductor devices

JB/T 8951.2-1999 绝缘栅双极型晶体管模块.臂和臂对

本标准规定了工作频率在10到40kHz范围的快速型绝缘栅双极型晶体管的臂和臂对模块的型号、外形尺寸、额定值和特性、试验方法和检验规则等。

Insulated gate bipolar transistor modules arm and pair of arms

JB/T 8951.1-1999 绝缘栅双极型晶体管

本标准规定了工作频率在10到40kHz范围的快速型绝缘栅双极型晶体管的型号、外形尺寸、额定值、特性、试验方法和检验规则等。

Insulated gate bipolar transistor

JB/T 8950.2-1999 电流大于100A普通晶闸管

本标准规定了普通晶闸管的型式尺寸、额定值、特性、检验规则、标志和包装等技术要求。 本标准适用于按管壳额定通态平均电流在200A至1000A，阻断特性对称的普通型反向阻断三极晶闸管。非对称普通晶闸管可参照适用本标准。本标准不适用于可关断晶闸管。

General thyristors with electric current higher than 100A

JB/T 8950.1-1999 电流小于100A普通晶闸管

本标准规定了管壳额定通态平均电流5A至100A普通晶闸管的型式尺寸、额定值、特性、检验规则、标志和包装等技术要求。 本标准适用于按管壳额定通态平均电流5A至100A的螺栓形普通晶闸管。

General thyristors with electric current lower than 100A

JB/T 8949.2-1999 电流大于100A普通整流管

本标准规定了管壳额定正向平均电流200A至1600A普通整流管的型式尺寸、额定值、特性值、检验规则、标志和包装等技术要求。 本标准适用于按管壳额定正向平均电流200A至1600A的螺栓形普通整流管。

General rectifier diodes with electric current higher than 100A

JB/T 8949.1-1999 电流小于100A普通整流管

本标准规定了管壳额定正向平均电流5A至100A普通整流管的型式尺寸、额定值、特性值、检验规则、标志和包装等技术要求。 本标准适用于按管壳额定正向平均电流5A至100A的螺栓形普通整流管。

General rectifier diodes with electric current lower than 100A

IEC 61803:1999 高压直流(HVDC)变流站功率损失的测定

本标准适用于所有电网换相型高压直流换流站。这种换流站用于电力系统中变换功率。本标准假定使用的是12脉动晶闸管换流器，但6脉动晶闸管换流器也可参照使用本标准。 在某些工程中，可能将同步补偿机或静止无功补偿器连接在高压直流换流站的交流母线上。本标准不包括确定这些设备的损耗方法。 典型的高压直流设备如图1所示。本标准提出了一套确定高压直流换流站总损耗的标准方法。本 计算方法涉及除了上面提及的设备外的所有部分， 定义了空载损耗和运行损耗，并提出了尽可能使用测 量参数确定这些损耗的计算方法。 若换流站的涉及与本标准假定的典型设计相比，采用了新的元件或新的回路结构，或采用了可能影 响损耗的特殊的辅助电路， 则其损耗应视具体情况而定。

Determination of power losses in high-voltage direct current (HVDC) converter stations

IEC 60633:1998 高压直流(HVDC)输电术语

本标准定义用于利用电力换流器将交流转换成直流或将直流转换成交流的高压直流输电系统和高 压直流换流站的术语。 本标准适用于具有通常以采用单向电子阀(例如半导体阀)的三相桥式(双路)联结为基础(参见 图2)的电网换相换流器的高压直流换流站。

Terminology for high-voltage direct current (HVDC) transmission

JB/T 8736-1998 电力半导体模块用氮化铝陶瓷基片

本标准规定了电力半导体模块用氮化铝陶瓷基片的型式、尺寸、技术要求、检验规则、试验方法以及标志、包装、运输、贮存等要求。 本标准适用于电力半导体模块用氮化铝陶瓷基片的生产、销售和使用。

Aluminum nitride ceramics substrate intended to be used in power semiconductor modules

JB/T 8740-1998 电化学用整流器

本标准规定了电化学用整流器的有关定义、基本参数、技术要求、检验及试验方法。 本标准适用于电化学工业作为电解直流电源使用的大功率电力半导体二极管整流管和晶闸管整流器。 对于类似负载特性的石墨化、碳化硅等大功率电炉用整流器，本标准可参照使用。

Rectifier for electrochemistry

JB/T 8758-1998 确定晶闸管参数值的准则

本标准规定了晶闸管基本参数的定量关系和确定参数值得方法。 本标准适用于普通晶闸管、快速晶闸管、可关断晶闸管等单向晶闸管和双向晶闸管。本标准也适用于确定整流二极管的基本参数值。

Criteria for value determination of parameters of thyristor

JB/T 8757-1998 电力半导体器件用热管散热器

本标准规定了电力半导体器件用热管散热器的型式尺寸、技术要求、检验规则和标志、包装等要求。 本标准适用于电力半导体器件用热阻在0.50℃/W至0.020℃/W的热管散热器。

Hot pipe radiators intended to be used in power semiconductor devices

JB/T 8675-1997 电泳涂漆用整流器

本标准规定了电泳涂漆整流器的技术要求，试验方法和检验规则等。 本标准适用于电泳涂漆用各型整流器，也可部分或全部用于类似用途或对电源有相同要求的整流器。

Rectifier intended to be used in electrophoretic coating