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蔡司 GeminiSEM 系列
用于任意样品进行亚纳米级低电压成像的场发射扫描电子显微镜
GeminiSEM 系列产品能够轻松实现亚纳米分辨成像以及极高的探测效率。
GeminiSEM 500 将成熟的 Gemini 技术与革新的光学设计完美结合，从而全面提升成像分辨率，尤其是在低电压下。借助其 20 倍增强的 Inlens 信号，您能够快速地获取清晰图像，并使样品损伤降至zei低。GeminiSEM系列产品的全新可变压力模式，让您拥有在高真空环境下成像的感觉。
为您的研究、工业实验室或成像平台添置一台灵活、可靠的场发射扫描电子显微镜。运用 GeminiSEM 系列产品获取真实世界中任意样品的出色图像。
更简单、更智能、更高度集成
在低电压下获取更丰富的细节信息
GeminiSEM 500 在低电压下有非常高的分辨率。
其成熟的 Gemini 技术缩短了成像时间，使您能够在低加速电压下轻松利用高衬度图像解析亚纳米级结构信息。在 500 V 电压下，不借助电子束减速技术，可以获取 1.2 nm 分辨率的出色图像。
在 1 kV 电压下，达到 1.1 nm 分辨率成像。或使用串联减速（Tandem decel）功能实现电子速减速，获得甚至高达 0.9 nm 的图像分辨率。
一切都取决于您。
随时提供更强的信号
图像分辨率意味着全部的有效信号。这正是为什么 GeminiSEM 500 大大提高检测效率的原因所在。与传统扫描电子显微镜相比，新的物镜设计将 Inlens 二次电子信号增强了 20 倍。
通过检测zei合适的那部分电子信号，您将可以获得样品zei丰富的信息。根据具体实验需求，可以利用这一优势显著缩短成像时间，或者使用更低电流以避免样品损伤。
可变压力使其更具灵活性
GeminiSEM 系列产品的可变压力（VP）模式，让您拥有身处在高真空环境下工作的感觉。如今，您可以首次在高达 150 Pa 的压力下以高分辨率、高衬度和高信噪比使用二次电子和背散射电子进行Inlens检测。即使要求zei苛刻的非导电样品也能获得清晰图像。
基于成熟的 Gemini 技术
GeminiSEM 系列产品基于成熟的 Gemini 技术，此项技术已运用超 20 年之久，具有完整高效的探测系统、出色的分辨率和易用性等特点。
Gemini 物镜设计结合了静电场与磁场，在zei大化光学性能的同时将它们对样品的影响降至zei低。
因此，即便是要求苛刻的样品（如磁性材料）也能够进行高品质成像。在同时探测二次电子（SE）和背散射电子（BSE）时，Gemini 设计原理确保了高效的信号检测。Inlens 探测器被放置在光轴上，因而减少了重新校准的操作且将成像时间缩至zei短。Gemini 电子束推进器技术可以保证在非常低的加速电压下获得小束斑和高信噪比。此外，它还能够通过让束流在高电压下通过镜筒，zei终减速至设定电压进入样品舱来zei大程度地减少外部杂散磁场对系统的影响。
更丰富的细节信息、 更强的信号
GeminiSEM 500 采用增强型电子光学设计，在低电压下拥有亚纳米级分辨率，实现更出色的信号检测效率。新设计的纳米双镜头通过优化几何结构及静电场与磁场的分布来进一步提高低电压、超低电压下的分辨率。同时，Inlens 探测器的信号在低电压成像条件下增强了 20 倍。在高分辨率电子枪模式下，电子束色差降低，从而实现更小的束斑。在串联减速（Tandem decel）模式下，可对样品施加减速电压。使用其进一步提升电压低于 1 kV 的分辨率，并增加背散射二级管探测器的检测效率。经改进的样品室背散射电子探测器（BSD）和透射电子探测器在低加速电压下拥有更高效率，且能实现快速成像。环形STEM（aSTEM）探测器拥有极大的灵活性，可以充分利用所有观察方式进行透射光成像，甚至可以使用多通道同时成像。
更丰富的细节信息、 更具灵活性
NanoVP 技术是减少非导电样品表面荷电的zei佳方法，且不影响 Inlens 探测器的检测性能和分辨率。在物镜下部置入压差光阑，大大缩短气体中入射束流的路径长度。此举可以减小束斑扩散，从而实现高分辨率成像及在压力高达 150 Pa 时进行 Inlens 检测。因此，您能够在可变压力模式下同时使用 Inlens 探测器和 EsB 探测器进行高分辨率的材料表面和成份衬度成像。借助样品室VPSE 探测器甚至能够实现 500 Pa 时的成像。
参考成交价格：