分辨率:1.3nm@15kV,2.1nm@1kV,5.0nm @0.1kV,2.0nm@30kV(VP模式),1.0nm@15kV,1.7nm@1 kV,4.0nm@0.1kV,2.0nm@30kV(VP模式)
放大倍数:12 - 900,000x
加速电压:0.02 - 30kV
束流:4 pA - 10 nA(可选配20 nA)
电子枪:热场发射型
VP真空度:2 - 133 Pa
标准探测器:In-lens二次电子探测器与样品 室内ET探测器 VP型号采用VPSE探测器
图象处理:分辨率:高达3072 x 2304像素;降噪:7种积分和平均模式
系统控制:基于Windows®XP的SmartSEM™
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