技术参数:
1.分辨率:1.0nm(15kV)/1.5nm(1kV)
2.加速电压:0.1KV-30kV
3.放大倍数:25-100万倍
4.样品室尺寸:zei大200mm直径样品
5.束流强度:1pA到200nA
二次电子像分辨率:1.0nm(15kv)/2.2nm(1kv);
背散射电子像分辨率:3nm(15kv,WD=8mm);
EDS分辨率: MnKa小于136eV ;
EDS 元素分析范围:B5-U92 ;
分辨率:1.0nm(15kV)/2.2nm(1kV)
加速电压:0.5 kV -30kV
放大倍数:25-650K
样品室尺寸:zei大200mm直径样品
束流强度:10-13到2*10-9