GB/T 1551-2021
硅单晶电阻率的测定 直排四探针法和直流两探针法
Test method for measuring resistivity of monocrystal silicon—In-line four-point probe and direct current two-point probe method
GBT1551-2021, GB1551-2021
GB/T 1551-2021 中，所使用到的仪器：
GB/T 1551-2021 中，可能用到以下仪器设备
- 标准号
- GB/T 1551-2021
- 别名
- GBT1551-2021
GB1551-2021 - 发布
- 2021年
- 发布单位
- 国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会
- 当前最新
- GB/T 1551-2021
- 引用标准
- GB/T 14264 GB/T 1550
- 被代替标准
- GB/T 1551-2009
- 本文件规定了用直排四探针法和直流两探针法测试硅单晶电阻率的方法。 本文件适用于硅单晶电阻率的测试,其中直排四探针法可测试的p 型硅单晶电阻率范围为7×10 Ω·cm~8×103 Ω·cm,n 型硅单晶电阻率范围为7×10-4 Ω·cm~1.5×104 Ω·cm;直流两探针法适用于测试截面积均匀的圆形、方形或矩形硅单晶的电阻率,测试范围为1×10-3 Ω·cm...
GB/T 1551-2021相似标准
推荐
半导体粉末电阻率测试仪 粉末电阻率仪
四探针法测试台设计符合符合GBT 30835-2014《锂离子电池用炭复合磷酸铁锂正材料》中关于粉末电阻率测试的原理和规范，参照GB/T 1551-2009 《硅单晶电阻率测定方法》、GB/T 1552-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流四探针法》并参考美国A.S.T.M 标准。 四探针法同步压力连续测试粉末“电阻率-压强曲线，” 国内*，行业，行业推荐粉末电阻率标准测试方式。 ...
四探针测试仪原理和组成
多功能数字式四探针测试仪是运用四探针测量原理测试电阻率/方阻的多用途综合测量 仪器。该仪器设计符合GB/T 1551-2009 《硅单晶电阻率测定方法》、GB/T 1551-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流两探针法》、 GB/T 1552-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流四探针法》并参考美国 A.S.T.M 标准。 仪器成套组成：由主机、选配的四探针探头、测试台等部分组成。...
386项推荐性国家标准发布 多项与仪器分析方法相关
序号标准编号标准名称代替标准号实施日期1GB/T 1551-2021硅单晶电阻率的测定 直排四探针法和直流两探针法GB/T 1551-20092021-12-012GB/T 2423.18-2021环境试验 第2部分：试验方法 试验Kb：盐雾，交变（氯化钠溶液）GB/T 2423.18-20122021-12-013GB/T 2423.33-2021环境试验 第2部分：试验方法 试验Kca：高浓度二氧化硫试验...