GB/T 1551-2021
硅单晶电阻率的测定 直排四探针法和直流两探针法

Test method for measuring resistivity of monocrystal silicon—In-line four-point probe and direct current two-point probe method

GBT1551-2021, GB1551-2021


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GB/T 1551-2021

标准号
GB/T 1551-2021
别名
GBT1551-2021
GB1551-2021
发布
2021年
发布单位
国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会
当前最新
GB/T 1551-2021
 
 
引用标准
GB/T 14264 GB/T 1550
被代替标准
GB/T 1551-2009
本文件规定了用直排四探针法和直流两探针法测试硅单晶电阻率的方法。 本文件适用于硅单晶电阻率的测试,其中直排四探针法可测试的p 型硅单晶电阻率范围为7×10 Ω·cm~8×103 Ω·cm,n 型硅单晶电阻率范围为7×10-4 Ω·cm~1.5×104 Ω·cm;直流两探针法适用于测试截面积均匀的圆形、方形或矩形硅单晶的电阻率,测试范围为1×10-3 Ω·cm...

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