日立双束(三束)聚焦离子束系统NX2000
价格:面议

日立双束(三束)聚焦离子束系统NX2000

产品属性

  • 品牌日立
  • 产地日本
  • 型号NX2000
  • 关注度202
  • 信息完整度
  • 供应商性质生产商
  • 产地类别进口
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产品描述

追求最完美的TEM样品制备工具

在尖端设备及高性能纳米材料的评价和分析领域,FIB-SEM已成为不可或缺的工具。
近来,目标观察物更趋微细化;更薄,更低损伤样品的制备需求更进一步凸显。
日立高新公司,整合了高性能FIB技术和高分辨SEM技术,再加上加工方向控制技术以及Triple Beam®*1(选配)技术,推出了新一代产品NX2000


特点

运用高对比度,实时SEM观察和加工终点检测功能,可制备厚度小于20 nm的超薄样品

FIB加工时的实时SEM观察*2例
样品:NAND闪存
加速电压:1 kV
FOV:0.6 µm

加工方向控制技术(Micro-sampling®*3系统(选配)+高精度/高速样品台*)对于抑制窗帘效应的产生,以及制作厚度均一的薄膜类样品给予厚望。


加工方向控制


常规加工时

Triple Beam®*1(选配)可提高加工效率,并能使消除FIB损伤自动化

EB:Electron Beam(电子束)
FIB:Focused Ion Beam(聚焦离子束)
Ar:Ar ion beam(Ar离子束)


选配件

  • Ar/Xe离子束系统

  • Micro-sampling®*3系统

  • 缺陷检测设备联用软件

  • CAD联用导航软件

  • EDS(能谱仪)

  • TEM样品精加工向导

  • TEM样品厚度管理软件

  • 连续A-TEM

  • 实时画质优化系统

  • Swing加工功能(用于Triple Beam®*1)

  • 等离子清洗机

  • 真空转移机构

  • 冷台


规格

项目内容
FIB镜筒
分辨率4 nm @ 30 kV、60 nm @ 2 kV
加速电压0.5~30 kV
束流0.05 pA ~ 100 nA
FE-SEM镜筒
分辨率2.8 nm @ 5 kV、3.5 nm @ 1 kV
加速电压0.5~30 kV
电子枪冷场场发射型
探测器
標準検出器In-lens 二次电子探测器/样品室二次电子探测器/背散射电子探测器
样品台X:0 ~ 205 mm
Y:0 ~ 205 mm
Z:0 ~ 10 mm
R:0 ~ 360°连续
T:-5 ~ 60°


日立高新技术公司

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