膜厚测量仪FE-3
价格:面议

膜厚测量仪FE-3

产品属性

  • 品牌大塚电子
  • 产地日本
  • 型号FE-3
  • 关注度454
  • 信息完整度
  • 供应商性质一般经销商
  • 产地类别进口
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产品描述

膜厚量测仪FE-3的特点

使用分光干涉法原理

配置高精度FFT膜厚分析引擎(专利 第4834847号)

可通过光纤灵活构筑测量系统

可嵌入各种制造设备

可实时测量膜厚

支持远程遥控,多点测量

采用长使用寿命,高稳定性白色LED光源

测量项目

多层膜膜厚解析

用途

光学薄膜(硬涂层,AR膜,ITO等)

FPD相关(resist,SOI,SiO2等)

膜厚量测仪FE-3测试实例

                                     硬涂层膜厚分析

规格:

型号 E-3/40C F FE-3/200I
测量方式 分光干涉式
测量膜厚范围(nd值) 20 nm ~ 40 μm 3 μm ~ 200 μm
测量波长范围 430 nm ~ 650 nm 900 nm ~ 1600 nm
测量精度 ± 0.2 nm以内 *1 -
重复精度 0.1 nm以内 *2 -
测量时间 0.1 s ~ 10 s 以内
光斑直径 约 φ 1.2 mm
光源 白色LED ハロゲン
光纤 光透射接收用Y型光纤1.5 m ~ 100 m
尺寸,重量 300(W) × 300(D) × 150(H)mm,约 10 kg
标准 峰谷分析,FFT分析,*适化方法解析

*1 相对于VLSI 公司产膜厚标准(100nm SiO2/Si)的膜厚保证书所记载的测量保证值范围

*2 重复测量VLSI 公司产膜厚标准(100nm SiO2/Si)的统一点时的扩展不确定度(包括因子2.1)

分光干涉式晶元厚度计sf-3

 

半导体晶元厚度测量

适用于1600μm以下的膜厚测量

  • 通过光学式可进行非接触,非破坏状态下进行厚度测量

  • 通过采用分光干涉法实现高测量重复性

  • 可高速实时进行研磨监控

  • 实现长WD(工作距离),方便嵌入制造设备

  • 支持在线测量时所要求的外触发

  • 采用了*适合厚度测量的单独分析运算法则

 

北京先锋泰坦科技有限公司

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