特点

• 独立交钥匙PLD系统
  

• PLD-CCS 三元连续组分扩散
  

• 无退火和掩模
  

• 在“真正的”沉积条件下（比如800℃，500mTorr）薄膜成长

• Wafer尺寸：标准型直径2”（4” 和6”需客户定制）

• 外延薄膜、多层异质结构和超晶格的沉积

• 高温下氧化膜沉积的氧兼容性
  

  
  

沉积过程中生产多种不同材料成分的能力大大加快了达到具有理想材料性能的最佳材料成分的速度。连续组成扩展功能PLD (CCS -PLD)是基于自然发生在PLD中的沉积速率，这是Cosn (θ) (5 ≤ n ≤ 11)的结果。PLD- CCS得益于使用Neocera软件进行多层沉积的益处，以及PLD过程固有的正向特性，可以改变二元/三元/四元相的组成。PLD-CCS在而不是在离散元件中而不是模拟方案中改变材料，从而消除了对掩模的需要。连续组成扩展功能（CCS）可在单次沉积中沉积很多不同组分的材料，大大缩短了沉积不同组分材料合成新材料的时间， 实现合成材料组分的优化。PLD-CCS 系统能以连续的方式改变材料，没有必要使用掩模。可以在每一次循环中，以小于 一个单分子层的速率，快速连续沉积每一种组份，其结果是类似于共沉积法。该法无需在沉积后进行退火促进内部扩散或 结晶，对于生长温度是关键参数的研究或者被沉积的材料或基片不适合高温退火的情况是非常有帮助的。Neocera 公司 PLD 系统可在同一个系统上实现带有连续组成扩展功能（CCS-PLD）和标准型 PLD 功能。