Centrotherm Activator 150-5 是为研发工作而特制的,而Centrotherm Activator 150-50专为大批量生产设计。
Centrotherm Activator 150 高温炉设计用于SiC或GaN器件注入后退火。Centrotherm独特工艺炉管和加热系统设,允许工艺温度达到 1850 ℃。
此外,Activator 150 系列的产品可以实现生长石墨烯生长。通过碳化硅升华生长石墨层可以获得高性能器件。
性能和优势
高活化效率
最小表面粗糙度
最大温度可达 1850 ℃
占地面积小 [1.8m2]
升温速率可达 100 K/min
批处理晶片尺寸包括 2″、3″、4″、6″
批处理数量达到 40片2″/或3″硅片, 50片4″/或6″硅片
真空度小于10-3 mbar (可选)
可并排安装
选项
上下料腔室微环境控制
自动机械手装片
测温热偶
centrotherm SiC和GaN退火及石墨烯生长 Activator150可用于多种类型炉体, 如研发炉和批量生产炉, 且处理灵活性高
centrotherm SiC和GaN退火及石墨烯生长 Activator150独立的小批量晶圆 生产设备,能实现各项热处理工艺,适用于少量生产及 研发
centrotherm SiC和GaN退火及石墨烯生长 Activator150
Centrotherm 高温退火/氧化系统-Activator/Oxidator 150具有性能高、占地小和生产成本低等特点
Centrotherm 高温退火/氧化系统-Activator/Oxidator 150可用于常规的硅圆片的氧化
Centrotherm 高温退火/氧化系统-Activator/Oxidator 150