cent rot herm 工艺反应 腔体及加热系统有着独特的设计, zui高升温至 11 00 摄氏度。由于一炉尺寸较小(一批至多 50 片晶圆), CLV 200 炉管能提供 非常灵活的常压及低压工艺,降低顾客研发费用。
cent rot herm 的设计在高效, 低耗上非常出色, 同时也具备了生产各种半导体器件的工艺灵活性。
常压工艺退火
氧化
扩散LPCVD PECVD
Zui高温度可达 11 00° C
净化间占用面积小 [1.6 m叮
售 批量生产 100 mm 至200 mm 晶圆售 一批最高可处理 50 片晶圆
售 全自动 cassette -to-cassette 传片
centrotherm Activator 150 高温炉生产线专为硅-碳化合物(SiC)或镓-氮化合物(GaN) 设备的后植入烧结而设计开发。Activator 150 可用于多种类型炉体, 如研发炉和批量生产炉, 且处理灵活性高。centrotherm 的无金属加热装置的独特设计允许处理温度高达 1850 °C 同时缩短了工艺循环时间。由于占据空间小、购置成本低,所以 Activator 150 可实现生产具有成本效益。
特点:
高活化率
表面粗糙程度最小
温度最高达 1850°C
批量规模高达 50硅片(150mm)
加热率最高达 150 K/min
通过SiH4可实现硅“过压
centrotherm SiC和GaN退火及石墨烯生长 Activator150可用于多种类型炉体, 如研发炉和批量生产炉, 且处理灵活性高
centrotherm SiC和GaN退火及石墨烯生长 Activator150
Centrotherm 高温退火/氧化系统-Activator/Oxidator 150具有性能高、占地小和生产成本低等特点
Centrotherm 高温退火/氧化系统-Activator/Oxidator 150广泛的工艺范围实现了对自定义化程序的优化, 例如温度, 气路系统和压力
Centrotherm 高温退火/氧化系统-Activator/Oxidator 150可用于常规的硅圆片的氧化
Centrotherm 高温退火/氧化系统-Activator/Oxidator 150