Centrotherm 高温氧化系统-Oxidator 150
一、产品简介
德国Centrotherm公司是国际主流的半导体设备供应商,尤其在高温设备领域。Centrotherm Oxidator 150 经过专业的研发, 能够满足 SiC 圆片的高温氧化工艺; 同时亦可用于常规的硅圆片的氧化。Centrotherm Oxidator 150 卓越的反应腔具有性能高、占地小和生产成本低等特点,为客户提供最高的工艺灵活度, 同时能够保证有毒气体的安全使用。
设备特点:
炉管和加热器均处于真空密闭反应腔内,上下料腔室可用Ar或 N2 进行吹扫,可以保证有毒气体(如 NO、N2O、H2、NO2 等) 的安全使用。
氧化工艺使用 N2O 气氛,可以改善 SiO2/SiC 接触表面以获得更高的通道迁移率,同时可提高SiC表面氧化物的稳定性和寿命。
提供带有氢氧合成系统的湿氧工艺。
高达 1350 ℃ 的温度和其他支持功能为 SiC 氧化工艺和低界面陷阱密度, 高通道移动率的氧化层研制提供可能。
二、适用工艺
高温SiC或Si氧化
氧化后退火(氢气环境)
三、产品特性
性能
圆片尺寸: 2″、3″、4″、6″
工艺温度: 900 ℃ ~ 1350 ℃
真空度: 小于10-3 mbar
占地面积小: 1.8m2
真空密封反应腔
可以并排安装
选项
氢氧合成用于湿氧
机械手装片
测温热偶
centrotherm SiC和GaN退火及石墨烯生长 Activator150可用于多种类型炉体, 如研发炉和批量生产炉, 且处理灵活性高
centrotherm SiC和GaN退火及石墨烯生长 Activator150独立的小批量晶圆 生产设备,能实现各项热处理工艺,适用于少量生产及 研发
centrotherm SiC和GaN退火及石墨烯生长 Activator150
Centrotherm 高温退火/氧化系统-Activator/Oxidator 150广泛的工艺范围实现了对自定义化程序的优化, 例如温度, 气路系统和压力
Centrotherm 高温退火/氧化系统-Activator/Oxidator 150可用于常规的硅圆片的氧化
Centrotherm 高温退火/氧化系统-Activator/Oxidator 150