牛津仪器OPAL原子层沉积系统（ALD）技术特点

【技术特点】-- 牛津仪器OPAL原子层沉积系统（ALD）

紧凑型开放式样品载入原子层沉积（ALD）系统

OpAL提供了专业的热ALD设备，可以简单明了的升级使用等离子体，使得在同一紧凑设备中集成了等离子体和热ALD。

• 开放式样品载入热ALD，集成等离子体技术

• 现场升级到可使用等离子体

• 从小晶片到200mm大晶片

适用于学术、产业、研发的热和/或等离子体化学产品，可用于：

氧化物： HfO2, Al2O3, TiO2, SiO2, ZnO, Ta2O5
氮化物：TiN, Si3N4
金属： Ru, Pt

ALD应用举例：

• 纳米电子学

• 高k栅极氧化物

• 存储电容器绝缘层-铜连线间的高纵横比扩散势垒区

• 有机发光二极管和聚合物的无针孔钝化层

• 钝化晶体硅太阳能电池

• 应用于微流体和MEMS的高保形涂层

• 纳米孔结构的涂层

• 生物微机电系统

• 燃料电池

直观性强的的软件提高性能

使用与牛津仪器的值得信赖的Plasmalab ®产品家族相同的软件平台， OpAL的程序驱动、多用户级别、PC2000TM控制的软件易于操作且可为快速ALD做相应修改。

请直接点击以下产品名，查看产品详细信息，谢谢。

电介质

沉积SiO2—沉积二氧化硅

沉积SiN—沉积氮化硅

二氧化硅(SiO2)的反应离子束溅射沉积(RIBD)技术

金属氮化物

沉积HfN—沉积氮化铪（远程等离子体完全辅助）

金属氧化物

沉积Al2O3-沉积三氧化二铝

高品质光学镀膜：二氧化硅，二氧化钛，五氧化二钽

二氧化铪反应离子束沉积（HfO2 RIBD）

沉积La2O3—沉积氧化镧

离子束沉积VaO( 5 - x )--沉积氧化钒 Deposition

沉积TiO2—沉积二氧化钛—离子束沉积

ZnO ALD（单热型）—沉积氧化锌原子层

沉积ITO—沉积铟锡氧化物—磁控溅射

金属

溅射沉积Al—溅射沉积铝

沉积Ru—沉积钌

其他

沉积a-Si—沉积非晶硅（等离子体增强化学气相沉积）

等离子体增强化学气相沉积和化学气相沉积SiGe—沉积锗硅

沉积PolySi—沉积多晶硅

沉积SiC—沉积碳化硅

等离子体增强化学气相沉积DLC—沉积类金刚石膜

【技术特点对用户带来的好处】-- 牛津仪器OPAL原子层沉积系统（ALD）

【典型应用举例】-- 牛津仪器OPAL原子层沉积系统（ALD）