原子层沉积系统PICOSU...
参数指标我要纠错

原子层沉积系统PICOSUN™P300S  技术参数:


衬底尺寸和类型zei大300mm单片晶圆

高深宽比基底(zei大深宽比1:2500)

工艺温度50 – 500°C



标准工艺

批量生产的平均工艺时间小于10秒/循环*

Al2O3, SiO2, Ta2O5, HfO2, ZnO, TiO2, ZrO2,AlN,TiN以及各种金属

同一批次薄膜不均匀性<1% 1σ

(Al2O3, WIW, WTW, B2B, 49pts, 5mm EE)**



基片装载

预真空室安装磁力操作机械手

全自动装载,Picoplatform™ 200或Picoplatform™ 300真空集群系统

通过集群系统进行盒对盒式FOUP装载氮气柜装载

前驱体

液态、固态、气态、臭氧源

源瓶余量传感器,提供清洗和装源服务

6根独立源管线,zei多加载12个前驱体源


相关原子层沉积系统(ALD)