原子层沉积系统PICOSUN™P300S技术特点

【技术特点】-- 原子层沉积系统PICOSUN™P300S

原子层沉积系统PICOPLASMA™技术的关键优势：

· 对衬底无等离子损伤

· 导电材料不会产生短路现象

· 无前驱源背扩散→等离子发生器无薄膜形成

· 等离子体点火期间无压力振荡→无颗粒形成

· 等离子体源与衬底之间无闸门阀→无颗粒形成

· 等离子体源材料无刻蚀→金属和氧化物薄膜低杂质

· 简单和快速服务并通过维护舱口改变腔室

· 无硬件修改使热ALD和等离子ALD工艺在同一沉积腔室中进行成为可能

【技术特点对用户带来的好处】-- 原子层沉积系统PICOSUN™P300S

【典型应用举例】-- 原子层沉积系统PICOSUN™P300S