技术参数:
分辨率 | 1.3 nm @ 15 kV 2.1 nm @ 1 kV 5.0 nm @ 0.1 kV 2.0 nm @ 30 kV(VP模式) |
分辨率 | 1.0 nm @ 15 kV 1.7 nm @ 1 kV 4.0 nm @ 0.1 kV 2.0 nm @ 30 kV(VP模式) |
加速电压 | 0.1 - 30 kV |
束流 | 4 pA - 10 nA(可选配20 nA) |
放大倍数 | 12 - 900,000x |
电子枪 | 热场发射型 |
VP真空度 | 2 - 133 Pa |
标准探测器 | In-lens二次电子探测器与样品室内ET探测器 VP型号采用VPSE探测器 |
图象处理 | 7种积分和平均模式 |
系统控制 | 基于Windows®XP的SmartSEM™ |