磁光克尔效应测量系统参数指标

n  主要参数：
光源：半导体激光器（典型405nm）

n  光斑直径：纵向测量：约5um

极向测量：约2um

n  探测灵敏度：±0.005°

n  探测范围：±1°

n  磁场：极向磁体：>±10kOe

面内磁体可选

测量项目：

磁滞回线：X轴：外加磁场H

           Y轴：克尔信号θk

获得关键值（from磁滞回线）：矫顽力Hc

                             各项异性场Hk

                             反向磁化Hn

                             饱和磁场Hs

剩余磁化强度θr

饱和磁化强度θs

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