产品名称：
DOI（金刚石薄膜Diamond?on?Oxide）
技术参数：
基底尺寸：dia4“x0.5mm
Si晶向：<100>±0.5°
绝缘层：SiO2
薄膜厚度：2um
氧化层：1um
电阻率：10E3 ~ 10E4 ohm-cm
标准包装：
1000级超净室100级超净袋真空包装或单片盒
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参考成交价格：
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