产品名称：

DOI（金刚石薄膜Diamond?on?Oxide）

技术参数：

基底尺寸：dia4“x0.5mm

Si晶向：<100>±0.5°

绝缘层：SiO2

薄膜厚度：2um

氧化层：1um

电阻率：10E3 ~ 10E4 ohm-cm

标准包装：

1000级超净室100级超净袋真空包装或单片盒