锑化镓(GaSb)晶体基片
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产品名称：锑化镓(GaSb)晶体基片
产品简介：
技术参数：单晶GaSb掺杂none；None, high R；Zn；Te；Te, high R导电类型P   P-    P+    N载流子浓度cm-31-2x1017     1-5x1016     1-5x10182-6x1017     1-5x1016位错密度cm-2<103生长方法及最大尺寸LEC  ? 3“
产品规格：标准尺寸：<100>, dia2“x0.5mm,         单抛，  ?3“x 0.5mm. 表面粗糙度Ra：<15A 可按客户需求定制相应的方向和尺寸。
标准包装：1000级超净室，100级超净袋或单片盒封装
 


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