锑化镓(GaSb)晶体基片技术特点

【技术特点】-- 锑化镓(GaSb)晶体基片

产品名称：	锑化镓(GaSb)晶体基片
产品简介：
技术参数：	单晶GaSb掺杂none；None, high R；Zn；Te；Te, high R导电类型P P- P+ N载流子浓度cm-31-2x1017 1-5x1016 1-5x10182-6x1017 1-5x1016位错密度cm-2<103生长方法及最大尺寸LEC ? 3“
产品规格：	标准尺寸：<100>, dia2“x0.5mm, 单抛， ?3“x 0.5mm. 表面粗糙度Ra：<15A 可按客户需求定制相应的方向和尺寸。
标准包装：	1000级超净室，100级超净袋或单片盒封装

【技术特点对用户带来的好处】-- 锑化镓(GaSb)晶体基片

【典型应用举例】-- 锑化镓(GaSb)晶体基片