砷化镓(GaAs)晶体基片

砷化镓(GaAs)晶体基片参数指标

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产品名称:

砷化镓(GaAs)晶体基片

产品简介:


技术参数:

单晶:砷化镓(GaAs)掺杂:None;Si;Cr;Te;Zn导电类型:Si;N;Si;N;P载流子浓度cm-3:/> 5x1017     /~2x1018    >5x1018位错密度cm-2:<5x105生长方法及最大尺寸: LEC & HB ?3“

 

常规尺寸:

常规晶向:<100>、

常规尺寸:10x10x0.5mm;dia2″x0.5mm;

抛光情况:单抛或双抛;

表面粗糙度Ra:<15A;

注:可按客户需求定制相应的方向和尺寸。


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