砷化镓(GaAs)晶体基片技术特点

【技术特点】-- 砷化镓(GaAs)晶体基片

产品名称：	砷化镓(GaAs)晶体基片
产品简介：
技术参数：	单晶：砷化镓(GaAs)掺杂:None；Si；Cr；Te；Zn导电类型：Si；N；Si；N；P载流子浓度cm-3：/> 5x1017 /~2x1018 >5x1018位错密度cm-2:<5x105生长方法及最大尺寸: LEC & HB ?3“
常规尺寸：	常规晶向：<100>、 常规尺寸：10x10x0.5mm;dia2″x0.5mm; 抛光情况：单抛或双抛; 表面粗糙度Ra:<15A; 注：可按客户需求定制相应的方向和尺寸。

【技术特点对用户带来的好处】-- 砷化镓(GaAs)晶体基片

【典型应用举例】-- 砷化镓(GaAs)晶体基片