技术参数：
可以非接触式地测量硅片内部的少数载流子寿命与扩散长。同时可以定量与定性的量测沉降到硅与二氧化硅内部的铁，铜，钠等游离的金属污染。最高金属污染浓度分辨率可以达到1E8的级别。