能够刻蚀硅的化合物(~400? /min)以及金属

典型的硅刻蚀速率，400 ?/min

高达12”的阳极氧化铝RF样品台

极限真空5x10-7Torr，20分钟内可以达到10-6Torr级别

最多支持8个MFC

双刻蚀能力支持：RIE以及PE刻蚀（可选）