铝质腔体或不锈钢腔体
不锈钢立柜
能够刻蚀硅的化合物(~400? /min)以及金属
典型的硅刻蚀速率,400 ?/min
高达12“的阳极氧化铝RF样品台
水冷及加热的RF样品台
大的自偏压
淋浴头气流分布
极限真空5x10-7Torr,20分钟内可以达到10-6Torr级别
涡轮分子泵
最多支持5个MFC
无绕曲气体管路
自动下游压力控制
双刻蚀能力:RIE以及PE刻蚀(可选)
终点监测
气动升降顶盖
手动上下载片
基于LabView软件的PC计算机全自动控制
菜单驱动,4级密码访问保护
完全的安全联锁
可选ICP离子源以及低温冷却样品台,用于深硅刻蚀