14.5”不锈钢立体离子束腔体

16cm DC离子枪1200eV,650mA, 气动不锈钢遮板

6”水冷样品台

晶片旋转速度3、10RPM，真空步进电机

典型刻蚀速率：铜200 ?/min, 硅：500 ?/min

6”范围内，刻蚀均匀度+/-3%

极限真空5x10-7Torr，20分钟内可达到10-6Torr级别（配套500 l/s涡轮分子泵）

配套1000 l/s涡轮分子泵，极限真空可达8x10-8Torr