扫描探针光刻系统（SPL）技术特点

【技术特点】-- 扫描探针光刻系统（SPL）

Nano analytik公司成立于2010年4月，技术源自德国伊尔梅瑙科技大学，公司的核心竞争力在于传感器、微系统和控制技术，公司宗旨是让纳米分析技术简单化，在保证科研严谨性的同时提高科研效率。

Nano analytik研发了一款基于新型扫描探针的高性能光刻系统。可在大气环境下，高经济效益、快速直写10纳米以下结构和制备纳米级器件。该系统的闭环回路可实现使用同一扫描探针对纳米结构的成像、定位、检测和操纵。

扫描探针光刻系统（SPL）

技术特点：

• 场发射低能电子束

• 大幅降低电子束背底散射

• 几乎消除电子束临近效应

• 无需调制电子束聚光

• 10 nm 以下光刻精度

• 接近原子级分辨的套刻精度

• 线写速度高达 300 μm/s

• 大气环境下可实现正负光刻

• 正光刻流程无需显影步骤

• 大范围分步重复工艺

• Mix & Match 混合光刻模式

• 闭环系统：光刻成像同一针尖反复交替进行

• 多针尖并联阵列提高效率

产品规格

光刻模式	正光刻、负光刻
工作环境	大气、真空
最小线宽	5 nm （验收指标）
直写速度	300 μm/s
套刻精度	< 7 nm
拼接精度	< 10 nm
最大光刻区域	200 μm x 200 μm
最大样品尺寸	直径：150 mm （6 英寸）
占用空间	80 cm x 100 cm x 190 cm

探针扫描头配置

工作模式	顶部XYZ扫描头
扫描范围	（XYZ） 10 μm × 10 μm × 5 μm 可扩展至 200 μm × 200 μm
定位精度（XYZ）	0.01 nm；0.01 nm；0.01 nm
传感器	压阻闭环传感
输入/输出频道	3

样品台配置

工作模式	底部XY定位器
运动范围（XY）	18 mm × 18 mm 可扩展 150 mm × 150 mm
最大运动速度	20 mm/s
运动精度	7 nm
运动重复性	80 nm （每运动100 μm）

电子配置

分辨率 振幅/相位	16-bit
反馈控制平台	实时FPGA
带宽	8 MHz
计算机接口	USB, 以太网可选
传感器调节	0-4 V可编程电桥

软件

实时修正	线, 面, 多项式
轮廓线测量	YES
粗糙度测量	YES
对比度/亮度/色彩调节	YES
3D 图像	YES
线平均	YES
图像输出	bmp, png, jpg格式
原始数据输出	txt格式
图像后续处理软件	Gwyddion, WSxM

【技术特点对用户带来的好处】-- 扫描探针光刻系统（SPL）

【典型应用举例】-- 扫描探针光刻系统（SPL）