设备组成

2.1、光脉冲发生装置

重复频率＞25次/s      脉宽＞60μｓ          光脉冲关断时间＜0.2-1μｓ

红外光源波长：1.06～1.09μm（测量硅单晶）   脉冲电流：5A～20A

如测量锗单晶寿命需配置适当波长的光源
2.2、高频源

频率：30MHz       低输出阻抗      输出功率＞1W

2.3、放大器和检波器

频率响应：2Hz～2MHz

2.4、配用示波器

配用示波器：频带宽度不低于40MHz，Y轴增益及扫描速度均应连续可调。

3、测量范围

KDK-LT-1可测硅单晶的电阻率范围：ρ≥3Ω·㎝（欧姆·厘米）,寿命值的测量范围：5～6000μｓ