多年来，实验室在上述研究领域取得了一批有特色的研究成果，在许多方面填补了国内空白，并取得了一些具有国际先进水平的研究结果，其中有代表性的有：成功地用MBE方法生长出Ge/Si量子点;生长出高质量的Ge/Si，GeSi/Si超晶格;首次在国际上实现了多孔硅的蓝光发射，以及观测到多孔硅的红外上转移现象;创造了多种GaAs表面硫钝化方法，并申请了三项国家专利;用热壁外延方法和分子束外延方法在GaAs衬底上生长出了优质ZnSe和 ZnMnSe薄膜;发现了Mn/GaAs的新的界面相等。实验室每年在包括Phys. Rev. B., Appl. Phys. Lett.等的国内外学术刊物上发表文章七十余篇，并多次荣获国家教委科技进步奖。