本文介绍了基于混合物理化学气相沉积法 (HPCVD) ,以B2 H6 为硼源 ,在 (0 0 0l)取向的Al2 O3单晶衬底上 ,制备了MgB2 超导体厚膜样品 .该样品平均厚度约为 4 0 μm .其Tc(onset) =39K ,Tc(0 ) =37.2K .X光衍射图显示该膜沿 (10 1)方向生长 ,具有少量Mg和MgO杂相 .SEM图像、X射线能量损失谱以及背散射电子衍射图证实了这两种杂相的存在 ,并显示该样品成分富镁 .样品表面的镁与空气接触形成MgO膜 ,在一定程度上阻止了MgB2 样品进一步被氧化 .对于MgB2 厚膜成膜过程及反应机理 ,我们提出了一种新的推断 .
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