本发明提供了一种在集成电路制造中用于分析样品的方法,集成电路 例如是MOS晶体管、专用集成电路、存储器器件、微处理器、片上系 统。该方法包括提供一块集成电路芯片,其具有表面区域,该表面区域具 有至少一个感兴趣区域,如键合焊盘。该方法包括利用阻隔材料覆盖包括 感兴趣区域在内的表面区域的第一部分。该方法还在表面区域的第二部分 上形成金属层,同时阻隔材料保护了第一部分。该方法移去阻隔材料以暴 露包括感兴趣区域在内的表面区域的第一部分。该方法还对金属层施加电 压差以从表面区域的第一部分吸引走一个或多个带电粒子。该方法还对包 括感兴趣区域在内的表面区域进行能谱分析。
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