Cascode相当于由GaN HEMT和低压MOSFET组成：GaN HEMT可承受高电压，过电压能力达到750 V，并提供低导通电阻，而低压MOSFET提供低门极驱动和低反向恢复。HEMT是高电子迁移率晶体管的英文缩写，通过二维电子气在横向传导电流下进行传导。
图1：GaN内部架构及级联结构
使用600 V GaN Cascode的三大优势是：
1. 具有卓越的体 二极管特性：级联建立在低压硅技术上，且反向恢复特别低;
2. 容易驱动：设计人员可使用像普通MOSFET一样的传统门极驱动器，采用电压驱动，且驱动由低压硅MOSFET的阈值电压和门极电荷决定；
3. 高可靠性：通过长期应用级测试，且符合JEDEC行业标准(通过标准为：0个击穿、最终的漏电流低于规格门限、导通 阻抗低于规格门限)。
PFC能效测试曲线
在许多现有电路 拓扑中，Cascode GaN比Si提供更高能效。如图2所示，在连续导电模式(CCM)升压PFC拓扑中，在200 KHz和120 Vac输入的条件下，Cascode GaN较超结合Si(SJ Si)提升近1%的效率，随着频率的升高，GaN的优势更为明显。
图2：CCM 升压PFC 在200 kHz 和120 Vac 输入.
采用GaN还使得图腾柱(Totem Pole)电路成为可能，较传统CCM升压PFC提供更高能效。
图3：传统CCM升压FPC vs. 图腾柱电路
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