经过 频谱分析仪和LISN测试，该设计的EMI符合EN55022B标准，并通过2.2 kV共模模式和1.1 kV 差分模式的浪涌测试。输入电压为115 Vac和230 Vac时，系统峰值效率分别超过95%和94%。该参考设计较现有采用硅的216 W电源参考设计减小25%的尺寸，提升2%的效率。
总结
GaN超越硅，可实现更快速开关、更紧凑的尺寸、更高功率密度及更高的电源转换能效，适用于 开关电源和其它在能效及功率密度至关重要的应用。高能效的电源转换有利于软开关电路 拓扑结构回收能量，如相移全桥、半桥或全桥LLC、同步升压等。随着更多工程师熟悉GaN器件的优势，基于GaN的产品需求将快速增长。得益于技术的发展和市场的成长，将有望降低采用GaN的成本。半导体厂商正凭借各自宽广的知识产权阵容和专长，结合功率转换厂商的GaN优势，正工作于新的发展前沿，致力推进市场对GaN的广泛采纳。
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