背散射分析具有许多优点：快速、定量、无损，有时还能多元素同时分析。这个方法可以作定量分析而不需要“标样”；可以得到元素的深度分布，而不需要对样品进行剥层处理（如离子溅射、化学腐蚀、机械研磨等）。因此利用背散射技术分析物质表面下组成的变化或杂质的深度分布特别合适。如果用背散射技术分析单晶样品，则可以同沟道效应（见沟道效应和阻塞效应）相结合，研究离子注入过程中产生的辐射损伤以及退火过程中损伤的恢复情况、掺杂离子的定位等。背散射分析已成为固体物理、半导体物理、材料科学研究等领域中常采用的较成熟的分析手段。
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