SJ 2355.7-1983
半导体发光器件测试方法.发光峰值波长和光谱半宽度的测试方法
Method of measurement for peak emission wavelength and spectral radiation bandwidth of light-emitting devices
SJ 2355.7-1983 发布历史
SJ 2355.7-1983由行业标准-电子 CN-SJ 发布于 1983-08-15，并于 1984-07-01 实施，于 2010-01-01 废止。
SJ 2355.7-1983 在中国标准分类中归属于: L53 半导体发光器件，在国际标准分类中归属于: 31.260 光电子学、激光设备。
SJ 2355.7-1983 半导体发光器件测试方法.发光峰值波长和光谱半宽度的测试方法的最新版本是哪一版？
最新版本是 SJ/T 11394-2009 。
SJ 2355.7-1983的历代版本如下：
- 2009年 SJ/T 11394-2009 半导体发光二极管测试方法
- 1983年 SJ 2355.7-1983 半导体发光器件测试方法.发光峰值波长和光谱半宽度的测试方法
SJ 2355.7-1983 半导体发光器件测试方法.发光峰值波长和光谱半宽度的测试方法 于 2009-11-17 变更为 SJ/T 11394-2009 半导体发光二极管测试方法。
SJ 2355.7-1983相似标准
推荐
pl光谱和ple光谱的区别
光谱应用在激发光能量不是非常大的情况下，PL测试是一种无损的测试方法，可以快速、便捷地表征半导体材料的缺陷、杂质以及材料的发光性能。1、组分测定；对三元系或四元系合金，如InxGa1-xN等，通过PL峰位确定半导体材料的禁带宽度，进而确定材料组分x。2、杂质识别；通过光谱中的特征谱线位置，可以识别材料中的杂质元素。3、杂质浓度测定。4、变温Pl可以测试材料/器件的发光效率。...
耦合电致发光附件测试III-ⅤLED的应用
将文献中EgGaInP =1.91eV[2]以及表1中的带隙值到公式（2）可得到黄色和红色LED的x值分别为0.30和0.10。表1. 四种LED的发射波长，带隙以及组成结论FS5光谱仪通过耦合电致发光附件成功测试了4种III-V LEDs的发光性能。FS5软件可根据电致发光光谱中的发射峰位置以及半高宽计算LED的色度坐标。此外，通过发射波长也可计算得到半导体带隙以及组成。...
热点应用丨OLED的光致发光和电致发光共聚焦成像
PL峰值波长图像（图5d）表明，有电极覆盖的发光层与未覆盖的发光层（611 nm）相比，PL发射峰发生红移（620 nm）。峰值波长的变化表明在不同的区域中能级不同。图5 (a) OLED器件电致发光宽场成像；(b)a网格内的高分辨率宽场成像；(c)PL强度成像；(d)相同区域的PL峰值波长成像；(e)EL强度成像；(f)相同区域的EL峰值波长成像。...
InGaN/GaN量子阱光致发光和电致发光特性的测试
Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体材料,拥有优良的光电性质,化学性质非常稳定,可在高温、酸碱、辐射环境下使用,并且禁带宽度大,因此在大功率的电子器件方面颇具吸引力,已引起了国内外众多研究者的兴趣。...