找不到引用KS C 0256-2022 的标准
可测量太阳能单晶及多晶硅片少数载流子的相对寿命,表面无需抛光、钝化。液晶屏上直接显示少子寿命值,同时在线显示光电导衰退波形。配置的红外光源:0.904~0.905μm波长红外脉冲激光器,光穿透硅晶体深度较浅≈30μm,但光强较强,有利于测量低阻太阳能硅晶体少数载流子体寿命,脉冲功率30W。为消除陷进效应增加了红外低光照。测量范围宽广测试仪可直接测量: a、研磨或切割面:电阻率≥0.5Ω?...
配置的红外光源:0.904~0.905μm波长红外脉冲激光器,光穿透硅晶体深度较浅≈30μm,但光强较强,有利于测量低阻太阳能硅晶体少数载流子体寿命,脉冲功率30W。为消除陷进效应增加了红外低光照。测量范围宽广测试仪可直接测量: a、研磨或切割面:电阻率≥0.5Ω?cm的单晶硅棒、定向结晶多晶硅块少子体寿命,切割片的少子相对寿命。 b、抛光面:电阻率在0.5~0.01Ω?...
非常快速的定位测试的点并测量膜层厚度,基本上所有的光滑的非金属薄膜均可测量。相关应用:半导体制造(光刻胶、氧化物/氮化物/SOI、晶圆背面研磨);LCD 液晶显示器(聚酰亚胺、ITO 透明导电膜);光学镀膜(硬涂层、抗反射层);MEMS 微机电系统(光刻胶、硅系膜层)。 R50四探针电阻率测量仪Filmetrics R50 系列提供接触式四点探针 (4PP) 和非接触式涡流 (EC)测量。...
数字式四探针测试仪是根据四探针测试原理研究成功的多用途的综合测量装置,它可以测量棒状、块状半导体材料的电阻率和半导体扩散层的薄层电阻进行测量,可以从10-6--105Ω—cm量程范围检测硅的片状、棒状材料的电阻、薄层电阻,是硅材料监测的需仪器。...
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