该光刻机系统工作时,照明系统1通过物镜阵列5将掩模2上的图像成像到基板7的每个曝光场6上,通过工件台8与掩模台3同步运动完成扫描曝光动作。掩模台3承载掩模2运动、工件台8承载基板7运动,工件台测量系统和掩模台测量系统分别测量工件台8和掩模台3的位置。为了完成物镜阵列5的镜头拼接,需要采用多个掩模对准传感器同时执行掩模对准的方案。...
单面/双面掩模对准光刻机支持各种标准光刻工艺,如真空,硬,软接触和接近式曝光模式,可选择背部对准方式。此外,该系统还提供其他功能,包括键合对准和纳米压印光刻(NIL)。EVG610提供快速处理和重新加工,以满足不断变化的用户需求,转换时间不到几分钟。其先进的多用户概念适合初学者到专家级各个阶层用户,非常适合大学和研发应用。...
光刻机(Mask Aligner) 又名:掩模对准曝光机,曝光系统,光刻系统等。常用的光刻机是掩膜对准光刻,所以叫 Mask Alignment System.Photolithography(光刻) 意思是用光来制作一个图形(工艺);在硅片表面匀胶,然后将掩模版上的图形转移光刻胶上的过程将器件或电路结构临时“复制”到硅片上的过程。...
时光刻机中的一项核心技术,应用于对半导体衬底进行成像的光刻技术,主要用来确定位置。在目前高端光刻机晶圆台的亚纳米级定位需求中,光栅干涉测量具有较大优势,测量分辨率可达17pm,长期测量稳定性可达0.22nm,采用先进的二维平面光栅可以实现空间六自由度测量,是14nm及以下光刻工艺制程的重要技术路线。光刻机又名:掩模对准曝光机,曝光系统,光刻系统等,是制造芯片的核心装备。...
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