T/CASAS 003-2018
p沟道IGBT器件用4H碳化硅外延晶片
4H-SiC Epitaxial Wafers for p-IGBT Devices
- 标准号
- T/CASAS 003-2018
- 发布
- 2018年
- 发布单位
- 中国团体标准
- 当前最新
- T/CASAS 003-2018
- SiC半导体材料以其独特的优异性能，特别适合制作高压、超高压功率器件。10kV级以上高压/超高压SiC功率器件多为垂直结构的双极型器件，如SiC PiN二极管、IGBT及GTO晶闸管等。 从结构上看，n沟道IGBT与n沟道MOSFET器件结构类似，所不同的是需要将n沟道MOSFET材料结构中的n+型衬底替换成p+型衬底。由于市面上缺乏电阻可接受的...
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