KS C 2150-2008(2023)
介电薄膜在高频范围（500 MHz～10 GHz）下的介电常数和介电损耗的测量方法
Measuring method of dielectric constant and dielectric loss of dielectric thin film at the high frequency ranges(500 MHz∼10 GHz)
KS C 2150-2008(2023) 中，可能用到以下仪器
- 标准号
- KS C 2150-2008(2023)
- 发布
- 2008年
- 发布单位
- KR-KS
- 当前最新
- KS C 2150-2008(2023)
KS C 2150-2008(2023)相似标准
推荐
上海有机所含氟高频低介电材料研究取得进展
该聚合物显示出极好的介电性能，其介电常数在10MHz以下低于2.29，在高频5GHz下的介电常数和介电损耗分别为2.36和1.29×10-3，优于传统的商用低介电材料（Macromolecules 2016, 49, 7314）。 倍半硅氧烷（POSS）是具有独特笼型结构的纳米材料，常作为添加剂引入聚合物中以改善其力学和介电等性能。但POSS的氟功能化研究较少，主要原因是缺少直接氟化的有效方法。...
介电常数和介质损耗有什么区别
介电常数和介质损耗有什么区别 介电特性是电介质材料极其重要的性质。在实际应用中，电介质材料的介电系数和介质损耗是非常重要的参数。例如，制造电容器的材料要求介电系数尽量大，而介质损耗尽量小。相反地，制造仪表绝缘器件的材料则要求介电系数和介质损耗都尽量小。而在某些特殊情况下，则要求材料的介质损耗较大。...
精彩！浙大学者质疑《Nature》论文，原文作者直面挑战！
此外，文献图3a中可以看出，在10kHz-4 MHz的频率范围内，h-BN和a-BN薄膜的κ值随频率的增加而明显降低，对应于强介电弛豫。而生长在金属衬底上的BN薄膜，在这个频率范围内没有表现出强烈的介电弛豫。这也表明作为底电极的半导体硅衬底，对Cu/BN/Si结构的总电容有贡献，并导致了对超薄BN薄膜介电表征准确性的不确定性。...
浙大学者挑战《Nature》论文，韩国学者回应：你们的观点是错误的！
根据电介质物理学的半导电材料中导电和极化之间的竞争，原文中使用的重掺杂n ++ Si衬底是半导体，其可能产生的电容效应可以被视为有损电介质。因此，由于Si衬底的贡献，所测量的电容要小于BN膜的实际电容，导致a-BN薄膜在10 kHz–4 MHz频率下的介电常数被低估了。此外，如原文图3a所示，h-BN和a-BN薄膜的κ值在10 kHz–4 MHz频率范围内随频率显着降低，这与强介电弛豫相对应。...