(2) 微键合区键合强度的检测键合是MEMS中最常用的工艺之一,键合强度是键合工艺的一个重要的评价指标。传统键合强度检测方法只能针对圆片级或大面积键合结构的评价。在微小键合区的键合强度测量技术方面有一定的研究成果报道,但多数存在方法复杂、适用范围有限等问题,还没有形成被行业广泛采用的通用、有效的方法。...
0011984861030制作单晶硅或晶圆的切割设备0012084861040制作单晶硅或晶圆的化学机械抛光设备0012184861090制作单晶硅或晶圆的其他设备0012284862010制造半导体器件或集成电路用的热处理设备0012384862021制造半导体器件或集成电路用的化学气相沉积装置0012484862022制造半导体器件或集成电路用的物理气相沉积装置0012584862029制造半导体器件或集成电路用的其他薄膜沉积设备...
芯片封装可简单分为减薄、切割、固晶、引线键合、塑封与切筋成型六大环节,每一环节均有对应的设备。减薄:通过减薄机磨轮的打磨,实现对晶圆的减薄。切割:通过切片机的砂轮将晶圆分割为若干单裸芯片。固晶:通过固晶机将单个裸芯片固定于基板上。引线键合:通过引线键合机焊接芯片的金属引线与基板焊盘。塑封:通过塑封机施加一定的温度与压力,将芯片封装在塑封料内。切筋成型:将一条引线框架上的芯片切割为单独芯片。...
在同时集成 IPD 和 TSV 的晶元上还可以进行圆片级三维堆叠和无引线键合。但在传统 CMOS 工艺体系上同时集成 IPD 与 TSV 是一项复杂的工作,特别是针对微波应用,需要同时在材料、工艺和架构上进行创新 。比如,标准 CMOS工艺采用的低阻硅衬底和薄铜布线结构会给高频IPD 器件带来很大损耗。TSV 的集成方式和对系统微波性能的影响也需要进行评估。 ...
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