(2) 微键合区键合强度的检测键合是MEMS中最常用的工艺之一,键合强度是键合工艺的一个重要的评价指标。传统键合强度检测方法只能针对圆片级或大面积键合结构的评价。在微小键合区的键合强度测量技术方面有一定的研究成果报道,但多数存在方法复杂、适用范围有限等问题,还没有形成被行业广泛采用的通用、有效的方法。...
引线框架、键合丝、包封材料、陶瓷基板、芯片粘合材料、光阻材料、湿电子化学品、溅射靶材、封测材料、切片、磨片、抛光片、薄膜等;7、第三代半导体:第三代半导体碳化硅SiC、氮化镓GaN、晶圆、衬底、封装、测试、光电子器件(发光二极管LED、激光器LD、探测器紫外)、电力电子器件(二极管、MOSFET、JFET、BJT、IGBT、GTO、ETO、SBD、HEMT等)、微波射频器件(HEMT、MMIC)等;...
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