研究内容:(1)光子计算关键器件开发、架构研究及原型芯片实现;(2)金属硫化物等二维原子晶体器件与大尺寸材料制备技术;(3)三维集成电路电磁全波仿真和参数提取技术研究;(4)三维集成电路功耗分析、热分析和应力分析技术研究;(5)基于人工智能的EDA多目标优化算法研究;(6)研发新一代微波可调无源器件,突破高集成度、宽带可重构的微波集成电路先进材料和关键工艺;(7)研发新型刺激响应智能薄膜材料和介观尺度下结构可重构可瞬变的电子元器件...
简介在半导体工业中,随着二维到三维集成电路的转变,芯片的互联形式已经转变为硅通孔3D互联,焊点尺寸有望减小至几个微米。Sn基钎料因其良好性能而被广泛使用。焊接过程中,Sn与母材发生反应易形成Cu6Sn5和Cu3Sn两种相。利用能谱(EDS)及背散射电子衍射技术(EBSD)可以对微焊点中的成分、晶体结构、晶粒取向、大小等进行快速表征,从而对微焊点性能的改善提供指导意义。...
同年,美国高斯公司申请制备具有石墨烯屏蔽效应的三维集成电路的专利。石墨烯层作为三维集成电路相邻层级或者相邻层之间的电磁干扰屏蔽体,可减少在层级之间的串扰,同时向周围传递热量。2019年,中国科学院上海微系统与信息技术研究所谢晓明团队首次在较低温度条件下采用化学气相沉积外延成功制备6英寸无褶皱高质量石墨烯单晶晶圆,成功将外延生长石墨烯单晶的生长温度从1000℃成功降低到750℃。...
另外,随着三维集成电路(3D IC)、CMOS 图像传感器(CIS)和微机电系统(MEMS)的兴起,以及硅通孔(TSV)、大尺寸斜孔槽和不同形貌的深硅刻蚀应用的快速增加,多个厂商推出了专为这些应用而开发的刻蚀设备。随着工艺要求的专门化、精细化,刻蚀设备的多样化,以及新型材料的应用, 上述分类方法已变得越来越模糊。除了集成电路制造领域,等离子体刻蚀还被广泛用于 LED、MEMS 及光通信等领域。...
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